[发明专利]CHT技术处理器电源管理设计架构有效
申请号: | 202211288180.9 | 申请日: | 2022-10-20 |
公开(公告)号: | CN115599615B | 公开(公告)日: | 2023-07-04 |
发明(设计)人: | 王杜 | 申请(专利权)人: | 长沙方维科技有限公司 |
主分类号: | G06F11/22 | 分类号: | G06F11/22 |
代理公司: | 福州市景弘专利代理事务所(普通合伙) 35219 | 代理人: | 徐剑兵 |
地址: | 410000 湖南省长沙市芙蓉区东岸街道远大一路*** | 国省代码: | 湖南;43 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | cht 技术 处理器 电源 管理 设计 架构 | ||
本发明涉及集成电路领域,特别是CHT技术(单发射多线程动态循环并行技术)处理器电源管理设计架构;本发明架构体系包括:待机区IO环、测试区IO环、标准区IO环、待机域、测试域和标准域。本发明创造了一种适用于CHT技术处理器的电源管理方法,发明了一种全新的电源管理设计架构。本发明技术满足超低功耗需求和MBIST测试需求(如CHTDFTFLOW需求),本发明旨在实现深层次电源管理策略,而非应用层面的(如DVFS方案)电源管理策略,特别对轻量化低功耗(如物联网)处理器具有重要应用价值。
技术领域
本发明涉及集成电路领域,特别是CHT技术(单发射多线程动态循环并行技术,以下简称CHT技术)处理器SOC设计和实现方法。
背景技术
集成电路行业受到重点扶持。处理器的体系结构是构建处理器的基础,常见的体系结构大多是国外的体系结构,如x86体系结构、ARM体系结构等。应用这些体系结构存在较多的限制,所以需要新型体系结构。新型体系结构技术是自主可控、安全可靠国产处理器的核心,也是难点所在。当前,体系结构技术创新成果较少,需求迫切,有重大的战略地位和广阔的市场空间;与之配套的SOC技术体系,同样具有重要意义。
现有的处理器电源管理方案一般是通过应用层面实现对电源的管理,无法满足MBIST测试(memory build-in-self test,存储器内建自测试)需求和低功耗需求。
发明内容
本发明的目的是:发明一种适用于CHT技术处理器的电源管理方法,满足超低功耗需求和MBIST测试需求(如CHT DFT FLOW需求),本发明旨在实现深层次电源管理策略,而非应用层面的(如DVFS方案)电源管理策略,特别对轻量化低功耗(如物联网)处理器具有重要应用价值。本发明技术对CHT技术处理器设计具有重要指导意义,同样适应于普通架构处理器,因此对通用处理器设计具有重要指导意义。
本发明提供CHT技术处理器电源管理设计架构,所述电源管理设计架构包括:待机区IO环、测试区IO环、标准区IO环、待机域、测试域和标准域;
所述待机区IO环连接到模拟IO端、通用数字IO端、唤醒信号端、第一核心电压端,外部IO域高压供电端、测试使能端和第一核心电压上电完标识;
所述测试区IO环连接到外部IO域高压供电端、测试数字IO端、第三核心电压端、测试高压供电端、掉电信号端、第一核心电压上电完标识和第三核心电压上电完标识;
所述标准区IO环连接到外部IO域高压供电端、第二核心电压端、通用数字IO端、模拟IO端、掉电信号端、测试使能端、第一核心电压上电完标识和第三核心电压上电完标识;
所述待机域包括第一电压调节器、第二电压调节器、待机域逻辑、双压供电IP单元、核心电压IP单元;
所述的标准域包括标准域双压供电IP单元、待机域双压供电IP单元和标准域逻辑;
所述测试域包含测试域逻辑和非易失存储器,所述测试域逻辑连接到所述第一核心电压上电完标识、第三核心电压端、第三核心电压上电完标识,所述测试域逻辑连接到测试IO口和测试使能端;所述测试使能端生效时,第二核心电压端关闭、第二核心电压上电完标识生效以及所述测试域逻辑进入测试状态。
进一步地,所述设计架构的内部接口信息包括:
所述的第一电压调节器连接到外部IO域高压供电端、第一核心电压端和第一核心电压上电完标识;
所述的第二电压调节器连接到外部IO域高压供电端、第一核心电压端、第一核心电压上电完标识、掉电信号端、测试使能端、第二核心电压端、第三核心电压上电完标识、第三核心电压端和第三核心电压上电完标识。
进一步地,还包括IO隔离区,所述的待机区IO环、测试区IO环、标准区IO环之间通过IO隔离区进行隔离。
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