[发明专利]外在手性超构表面结构及调制圆偏振光反射强度的方法

权利要求书

1.一种外在手性超构表面结构，由多个基体结构单元组成，其特征在于，所述基体结构单元包括：第一金属层(100)；设置于所述第一金属层(100)上的电介质层(200)；以及设置于所述电介质层(200)上的第二金属层(300)；

所述第二金属层(300)包括：第一棒体(310)和第二棒体(320)，所述第一棒体(310)和所述第二棒体(320)分别沿所述电介质层(200)的表面延伸，所述第一棒体(310)与所述第二棒体(320)间隔设置，且所述第一棒体(310)的延伸方向与所述第二棒体(320)的延伸方向垂直。

2.根据权利要求1所述的外在手性超构表面结构，其特征在于，所述基体结构单元作为灰度图像的像素点，具有灰度差的两个像素点所设有的所述第一棒体(310)长度尺寸具有差值。

3.根据权利要求1所述的外在手性超构表面结构，其特征在于，所述第一棒体(310)的长度尺寸为400nm～520nm。

4.根据权利要求1所述的外在手性超构表面结构，其特征在于，所述第一金属层(100)的厚度为90nm～100nm。

5.根据权利要求1所述的外在手性超构表面结构，其特征在于，所述电介质层(200)的厚度为100nm～160nm。

6.根据权利要求1所述的外在手性超构表面结构，其特征在于，所述第一棒体(310)和所述第二棒体(320)的厚度皆为20nm～40nm。

7.根据权利要求1所述的外在手性超构表面结构，其特征在于，所述第一棒体(310)的宽度为60nm～80nm。

8.根据权利要求1所述的外在手性超构表面结构，其特征在于，所述第二棒体(320)的宽度为65nm～85nm。

9.根据权利要求1所述的外在手性超构表面结构，其特征在于，所述第二棒体(320)的长度为150nm～200nm。

10.一种调制圆偏振光反射强度的方法，其特征在于，该方法采用权利要求1-9任一项所述的外在手性超构表面结构，且包括以下步骤：

定义第一棒体(310)的延伸方向为x轴方向，第二棒体(320)的延伸方向为y轴方向；

多个基体结构单元分别沿x轴和y轴阵列；

在左旋圆偏振光或右旋圆偏振光倾斜入射条件下，改变各基体结构单元中第一棒体(310)的长度尺寸，以调制特定旋性圆偏振光的反射强度；

其中，入射光的方向与x轴夹角为45°，入射光的方向与z轴夹角为45°。