[发明专利]一种调节含氢非晶碳薄膜带隙宽度的方法在审
| 申请号： | 202211264076.6 | 申请日： | 2022-10-17 |
| 公开（公告）号： | CN115323325A | 公开（公告）日： | 2022-11-11 |
| 发明（设计）人： | 徐鹏飞;王岩 | 申请（专利权）人： | 江苏华兴激光科技有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/06 | 分类号： | C23C14/06;C23C14/35;C23C14/54 |
| 代理公司： | 江苏长德知识产权代理有限公司 32478 | 代理人： | 周艺 |
| 地址： | 221000 江苏省徐州市*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 调节 含氢非晶碳 薄膜 宽度 方法 | ||
1.一种调节含氢非晶碳薄膜带隙宽度的方法，其特征在于，采用射频磁控溅射方法在透明玻璃上制备非晶碳薄膜,包括以下步骤：
S1:将透明玻璃衬底固定在磁控溅射系统的石墨加热衬底上，进行预加热；
S2:对溅射系统腔室抽真空；
S3:通入氩气至溅射系统腔室内作为等离子体的工作气体；
S4:对溅射系统腔室中通入氮气分压为一定比例的甲烷与氮气混合气作为含氢非晶碳薄膜的反应气体源；
S5:开启射频电源，调节溅射系统腔室内压强，实现辉光放电，进行含氢非晶碳薄膜沉积；
S6:通过对S4中的氮气分压进行调节，使氮气分压在0%-9%范围内变化，实现含氢非晶碳薄膜带隙宽度的在1.0~2.0eV范围内变化。
2.根据权利要求1所述的一种调节含氢非晶碳薄膜带隙宽度的方法，其特征在于，S5中所述非晶碳薄膜沉积在透明玻璃衬底表面，所述非晶碳薄膜的厚度为1000~2000nm。
3.根据权利要求1所述的一种调节含氢非晶碳薄膜带隙宽度的方法，其特征在于，S1中所述透明玻璃衬底的预加热温度为200℃。
4.根据权利要求1所述的一种调节含氢非晶碳薄膜带隙宽度的方法，其特征在于，非晶碳薄膜沉积时的透明玻璃衬底的温度为200℃。
5.根据权利要求1所述的一种调节含氢非晶碳薄膜带隙宽度的方法，其特征在于，所述非晶碳薄膜的制备采用纯度99.999%的石墨盘作为磁控溅射靶材。
6.根据权利要求1所述的一种调节含氢非晶碳薄膜带隙宽度的方法，其特征在于，S2中所述溅射系统腔室的真空度为10-5Pa量级。
7.根据权利要求1所述的一种调节含氢非晶碳薄膜带隙宽度的方法，其特征在于，S3中所述氩气的流量为1-10sccm。
8.根据权利要求1所述的一种调节含氢非晶碳薄膜带隙宽度的方法，其特征在于，S4中所述甲烷通入溅射系统腔室的流量为1-10sccm，所述氮气通入溅射系统腔室的流量为1-10sccm。
9.根据权利要求1所述的一种调节含氢非晶碳薄膜带隙宽度的方法，其特征在于，S5中所述溅射系统腔室内的压强为0.7Pa。
10.根据权利要求1所述的一种调节含氢非晶碳薄膜带隙宽度的方法，其特征在于，S5中所述射频电源的功率为150W。
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