[发明专利]一种表面改性非晶碳膜的消融针和非晶碳膜的制备方法

说明书

本发明公开了一种表面改性非晶碳膜的消融针和非晶碳膜的制备方法,包括子电极，子电极表面沉积过渡层，过渡层表面沉积非晶碳膜，非晶碳膜包括多层交替层叠的掺杂非晶碳膜，本发明在消融针的子电极沉积过渡层和非晶碳膜，非晶碳膜设置为掺Cr非晶碳膜一、掺Ti非晶碳膜和掺Cr非晶碳膜二交错层叠的结构对多极射频消融针子电极进行表面改性，保证了非晶碳膜的导电性，提高了非晶碳膜的附着力，降低了非晶碳膜的内应力，通过掺Cr非晶碳膜二控制非晶碳膜硬度，使具备该硬度的非晶碳膜在子电极针伸展和收拢过程中不会发生涂层开裂、脱落的现象，同时提高了消融过程中子电极的抗粘连性能。

技术领域

本发明属于医疗设备技术领域，涉及一种表面改性非晶碳膜的消融针和非晶碳膜的制备方法。

背景技术

射频消融(radiofrequency ablation(RFA))技术具有损伤小、周期短、恢复快等优点，因而越来越成为肿瘤治疗的首选方案。在肿瘤消融治疗过程中，需要将消融针插入肿瘤组织中发射射频波形成热效应使肿瘤组织发生凝固性坏死。然而在消融过程中容易发生消融针与组织的粘连现象，尤其是四爪、八爪等多极消融针，这大大降低了消融治疗的效果，容易引起出血，甚至癌细胞转移的问题。

专利CN201410226662.0公开了一种采用Ag掺杂非晶碳膜表面改性单针消融针来改善消融针与组织粘连的问题，但对于多级射频消融针来说，多级针子电极在不使用时收于主针针管中，使用时则展开成伞状，现有硬度高的非晶碳膜在多级针子电极由弯曲到收拢直的过程中容易产生开裂，硬度低的的非晶碳膜在弯曲到收拢直的过程中容易被主针外管刮破；附着力低的非晶碳膜在肿瘤消融过程中则可能发生涂层脱落现象，非晶碳膜材料进入身体组织，带来极大的安全风险。

发明内容

本发明为了克服现有技术的不足，提供一种表面改性非晶碳膜的消融针和非晶碳膜的制备方法。

为了实现上述目的，本发明采用以下技术方案：一种表面改性非晶碳膜的消融针和非晶碳膜的制备方法,包括子电极，子电极表面沉积过渡层，过渡层表面沉积非晶碳膜，非晶碳膜包括多层交替层叠的掺杂非晶碳膜。

进一步的，所述非晶碳膜包括掺Cr非晶碳膜和掺Ti非晶碳膜，掺Cr非晶碳膜和掺Ti非晶碳膜交替层叠形成多层的掺杂非晶碳膜。

进一步的，所述掺Cr非晶碳膜设有两层，包括掺Cr非晶碳膜一和掺Cr非晶碳膜二，掺Ti非晶碳膜设置在掺Cr非晶碳膜一和掺Cr非晶碳膜二之间，掺Cr非晶碳膜一设置在过渡层。

进一步的，所述掺Cr非晶碳膜一的厚度范围设置在20-40nm。

进一步的，所述掺Cr非晶碳膜二的厚度范围设置在80-100nm。

进一步的，所述掺Ti非晶碳膜的厚度范围设置在20-40nm。

进一步的，所述过渡层设置为Cr金属层。

一种表面改性非晶碳膜的制备方法，包括以下步骤：

S1：将清洗后的多极射频消融针的子电极针放入磁控与离子束复合溅射沉积系统的真空室中，真空室抽真空和加热；

S2：刻蚀，通入Ar清洁表面残余氧化层和油污；

S3：沉积过渡层，通入Ar，开启Cr溅射靶，在子电极的表面沉积过渡层；

S4：沉积掺Cr非晶碳膜一，通入碳源气体，开启Cr溅射靶，通入Ar，在过渡层沉积掺Cr非晶碳膜一；

S5：真空室抽真空；

S6：沉积掺Ti非晶碳膜，通入碳源气体，开启Ti溅射靶，通入Ar，在掺Cr非晶碳膜一沉积掺Ti非晶碳膜；

S7：真空室抽真空；