[发明专利]一种中子变能设备

权利要求书

1.一种中子变能设备，其特征在于，包括：

中子通道，极化中子束流在所述中子通道中沿Z方向运动，所述中子通道包括变能段，所述变能段包括正向区、中心区和反向区，所述正向区位于所述中心区沿Z方向的上游，所述反向区位于所述中心区沿Z方向的下游；

磁场装置，设置于所述变能段的外周，所述磁场装置被配置为在所述变能段产生交变非均匀磁场，所述交变非均匀磁场的磁场梯度方向为Z方向；所述中心区为所述交变非均匀磁场的中心，所述中心区的磁场梯度为零；所述极化中子束流运动到所述正向区情况下所述正向区的磁场方向和所述极化中子束流运动到所述反向区情况下所述反向区的磁场方向相反。

2.根据权利要求1所述的中子变能设备，其特征在于，所述磁场装置包括用于产生所述交变非均匀磁场的螺线管线圈。

3.根据权利要求2所述的中子变能设备，其特征在于，所述螺线管线圈的励磁电流的波形为正弦波形。

4.根据权利要求1所述的中子变能设备，其特征在于，所述磁场装置包括用于产生所述交变非均匀磁场的射频谐振件。

5.根据权利要求1所述的中子变能设备，其特征在于，所述磁场装置的数量和所述变能段的数量均为多个，多个所述变能段沿Z方向布置，每个所述变能段对应设置一个所述磁场装置。

6.根据权利要求1～5任一项所述的中子变能设备，其特征在于，所述中子变能设备包括用于生成所述极化中子束流的中子极化装置，所述中子极化装置位于所述中子通道沿Z方向的上游，所述中子极化装置生成的极化中子取向为Z方向。

7.根据权利要求6所述的中子变能设备，其特征在于，所述中子极化装置包括极化离子源，所述极化离子源通过极化的氘离子聚变生成所述极化中子束流。

8.根据权利要求6所述的中子变能设备，其特征在于，所述中子极化装置包括极化件和能够生成中子束流的中子源，所述极化件能够将所述中子源生成的中子束流极化成所述极化中子束流。

9.根据权利要求8所述的中子变能设备，其特征在于，所述极化件包括中子激化器、中子翻转器、中子过滤器或中子分析器。