[发明专利]谐波校正电路的控制方法及控制模块、相关设备在审

专利信息
申请号: 202211200779.2 申请日: 2022-09-29
公开(公告)号: CN115498961A 公开(公告)日: 2022-12-20
发明(设计)人: 管劲舟;丁建裕 申请(专利权)人: 晶晨半导体(上海)股份有限公司
主分类号: H03B5/12 分类号: H03B5/12;H03L7/099
代理公司: 上海知锦知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31327 代理人: 郭学秀
地址: 201203 上海市浦东新区中国*** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 谐波 校正 电路 控制 方法 模块 相关 设备
【说明书】:

一种谐波校正电路的控制方法及控制模块、相关设备,所述谐波校正电路用于对压控振荡器的谐波进行校正,且所述压控振荡器包括第一开关电容阵列,所述谐波校正电路包括第二开关电容阵列,所述控制方法包括:获取所述压控振荡器的目标振荡频率;根据所述压控振荡器的目标振荡频率,获取所述第一开关电容阵列的第一目标电容值;根据所述第一开关电容阵列的第一目标电容值,计算所述第二开关电容阵列的第二目标电容值;根据计算得到所述第二开关电容阵列的第二目标电容值,产生开关控制信号至所述第二开关电容阵列,使得所述第二开关电容阵列的电容达到所述第二目标电容值。本发明技术方案能够提高压控振荡器的谐波校正的操作效率。

技术领域

本发明涉及半导体集成电路领域,尤其涉及一种谐波校正电路的控制方法及控制模块、相关设备。

背景技术

压控振荡器(Voltage Control Oscillator,VCO)已广泛地作为时钟信号发生器(Clock Generator),应用在诸如锁相回路(Phase Locked Loop,PLL)或延迟锁定回路(Delay Locked Loop,DLL)等应用场合中。

压控振荡器在工作的过程中,作为负阻的第一振荡晶体管和第二振荡晶体的漏端的基波具有相等的振幅和相反的相位,且在第一振荡晶体管和第二振荡晶体管的源端上,基波与奇次谐波互相抵消而合成偶次谐波。偶次谐波的存在会导致压控振荡器的性能降低。因此,一般采用谐波校正电路对压控振荡器的偶次谐波进行校正。

但是,现有的压控振荡器的谐波校正方法,存在着效率低下的问题。

发明内容

本发明解决的问题是提供一种谐波校正电路的控制方法及控制模块、相关设备,以提高压控振荡器的谐波校正的效率。

为解决上述问题,本发明提供了一种谐波校正电路的控制方法,所述谐波校正电路用于对压控振荡器的谐波进行校正,且所述压控振荡器包括第一开关电容阵列,所述谐波校正电路包括第二开关电容阵列,所述控制方法包括:

获取所述压控振荡器的目标振荡频率;

根据所述压控振荡器的目标振荡频率,获取所述第一开关电容阵列的第一目标电容值;

根据所述第一开关电容阵列的第一目标电容值,计算所述第二开关电容阵列的第二目标电容值;

根据计算得到所述第二开关电容阵列的第二目标电容值,产生开关控制信号至所述第二开关电容阵列,使得所述第二开关电容阵列的电容达到所述第二目标电容值。

可选地,所述谐波校正电路用于对压控振荡器的二次谐波进行校正;

采用如下的公式计算所述第二开关电容阵列的第二目标电容值:

其中,Charm-cx表示所述第二开关电容阵列的第二目标电容值,Charm-c1表示所述压控振荡器工作在第一频率且具有最佳相位噪声时所述第二开关电容阵列的电容值,Charm-c2表示所述压控振荡器工作在第二频率且具有最佳相位噪声时所述第二开关电容阵列的电容值,Cpdodex表示所述第一开关电容阵列的第一目标电容值,Cpdode1表示所述压控振荡器工作在第一频率时所述第一开关电容阵列的电容值,Cpdode2表示所述压控振荡器工作在第二频率时所述第一开关电容阵列的电容值。

可选地,计算所述第二开关电容阵列的第二目标电容值之前,所述控制方法还包括:

获取所述压控振荡器工作在第一频率时所述第一开关电容阵列的电容值、所述压控振荡器工作在第二频率时所述第一开关电容阵列的电容值、所述压控振荡器工作在第一频率且具有最佳相位噪声时所述第二开关电容阵列的电容值,以及所述压控振荡器工作在第二频率且具有最佳相位噪声时所述第二开关电容阵列的电容值。

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