[发明专利]一种AT切石英晶体谐振器及制作方法

说明书

本发明公开了一种AT切石英晶体谐振器及制作方法，包括：晶片本体和以及实现电性连接的电极组件，晶片本体包括固定基片、用于产生振动能量的振动基片及第一衰减部，固定基片沿其厚度方向开设有贯穿槽，振动基片内置于贯穿槽，并与固定基片之间形成有用于衰减振动能量的衰减间隙，第一衰减部设置于衰减间隙，并与振动基片和固定基片均相连接，用于衰减经固定基片传递至振动基片的外部振动能量，电极组件覆盖连接于振动基片的表面，并延伸覆盖于第一衰减部和固定基片上，且电极组件与外部电气设备电性连接，用于驱动振动基片产生振动能量。本发明能解决因采用额外结构和设计来减少外部振动能量传递至振动基片，从而导致晶振的重量和体积增加的问题。

技术领域

本发明涉及晶体谐振器技术领域，尤其涉及一种AT切石英晶体谐振器及制作方法。

背景技术

随着电子产品小型化发展的趋势，晶体振荡器(简称晶振)结构的的小型化发展的相关研究也应运而生。

目前，关于晶振的抗振设计主要有以下两种：其一是在成品晶振外部增加抗振措施。例如申请号为：CN110212881A的中国发明专利，名称为：一种SMD封装的晶振的抗振安装方法，将晶振安装在电路板正面，电路板底面铺铜并在多个位置处露铜，在每个所述露铜点处安装弹簧，所述弹簧的一端与露铜点焊接，另一端固定于基座之上，并在整个电路板底面与基座之间填充硅胶泡棉；另一是在振荡器内部将谐振器引脚与线路板连接的部分采用柔性线路板制成，可以在晶体振荡器使用过程中，通过柔性部分减少传递到晶体上的震动，从而提高晶体的抗振性，进而保证晶体的性能稳定，确保晶体的使用寿命。上述两种方式虽在一定程度上降低外部振动对晶体的影响，但均采用了额外的结构和设计，不易晶振的小型化。

因此，亟需一种AT切石英晶体谐振器及制作方法，用于解决现有技术中因采用了额外的结构和设计来减少外部振动能量传递至振动基片，从而导致晶振的重量和体积增加的问题。

发明内容

有鉴于此，有必要提供一种AT切石英晶体谐振器及制作方法，解决现有技术中因采用了额外的结构和设计来减少外部振动能量传递至振动基片，从而导致晶振的重量和体积增加的技术问题。

为达到上述技术目的，本发明的技术方案提供一种AT切石英晶体谐振器，包括：

晶片本体，包括固定基片、振动基片及第一衰减部，所述固定基片沿其厚度方向开设有贯穿槽，所述振动基片内置于所述贯穿槽，并与所述固定基片之间形成有用于衰减振动能量的衰减间隙，所述第一衰减部设置于所述衰减间隙，并与所述振动基片和固定基片均相连接，用于衰减经所述固定基片传递至所述振动基片的外部振动能量；

电极组件，所述电极组件覆盖于所述振动基片的表面，并延伸覆盖于所述第一衰减部和固定基片上，且所述电极组件与外部电气设备电性连接，用于驱动所述振动基片产生振动能量。

进一步的，所述贯穿槽呈方形，所述振动基片呈方形，且所述振动基片设置于所述贯穿槽的中部，以使得所述振动基片两对侧的衰减间隙的大小相等。

进一步的，所述振动衰减部呈L型，所述振动衰减部包括第一连接晶片和第二连接晶片，所述第一连接晶片垂直于所述第二连接晶片设置，且所述第一连接晶片的一端连接于所述第二连接晶片，所述第一连接晶片的另一端垂直于所述贯穿槽的内壁，所述第二连接晶片的另一端垂直于所述振动基片的外壁，且所述第一连接晶片的延长线和所述第二连接晶片的延长线分别垂直于所述贯穿槽相邻的两内侧壁。

进一步的，所述晶片本体还包括第二衰减部，所述第二衰减部与所述第一衰减部以所述贯穿槽的中心呈点对称分布，并均与所述振动基片和固定基片均相连接。