[发明专利]一种绘制光刻工艺窗口的方法在审
| 申请号： | 202211153950.9 | 申请日： | 2022-09-21 |
| 公开（公告）号： | CN115437225A | 公开（公告）日： | 2022-12-06 |
| 发明（设计）人： | 董立松;韦亚一 | 申请（专利权）人： | 南京诚芯集成电路技术研究院有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/20 | 分类号： | G03F7/20;H01L21/027 |
| 代理公司： | 南京苏博知识产权代理事务所(普通合伙) 32411 | 代理人： | 章雅琴 |
| 地址： | 210000 江苏省南京市浦口区*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 绘制 光刻 工艺 窗口 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种绘制光刻工艺窗口的方法，其特征在于，包括以下步骤：
获取特定特征尺寸图形在不同离焦量和不同曝光剂量下的曝光结果及约束条件；
基于所述曝光结果和所述约束条件绘制两条泊松曲线；
判断两条所述泊松曲线和所述泊松曲线的首尾点构成闭合区域的凹凸性，得到判断结果；
基于所述判断结果根据凸优化的原理描绘新闭合区域中的最大面积椭圆，得到工艺窗口。
2.如权利要求1所述的一种绘制光刻工艺窗口的方法，其特征在于，
所述约束条件包括数据的单位、横纵向分布所代表的物理意义和线宽约束范围。
3.如权利要求2所述的一种绘制光刻工艺窗口的方法，其特征在于，
所述线宽约束范围为0.225um～0.275um。
4.如权利要求1所述的一种绘制光刻工艺窗口的方法，其特征在于，
所述判断结果包括凸多边形和凹多边形中的任意一种。
5.如权利要求4所述的一种绘制光刻工艺窗口的方法，其特征在于，
所述基于所述判断结果根据凸优化的原理描绘新闭合区域中的最大面积椭圆，得到工艺窗口的具体方式：
如果所述判断结果为所述凸多边形，则根据凸优化的原理，描绘新闭合区域中的最大面积椭圆，如果所述判断结果为所述凹多边形，则从所述凹多边形中寻找所述凸多边形，再根据凸优化的原理，描绘新闭合区域中的最大面积椭圆。
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