[发明专利]一种抑制高阶拉曼的光纤激光器种子源

权利要求书

1.一种抑制高阶拉曼的光纤激光器种子源，包括依次连接的第一拉曼种子激光器(1-1)、拉曼泵浦光纤振荡器(1-2)，其特征在于，所述拉曼泵浦光纤振荡器(1-2)包括依次连接的第一泵浦光源(1-5)、第一泵浦信号合束器(1-6)、高反光栅(1-7)、第一双包层掺镱光纤(1-8)、第一双包层传能光纤(1-9)，低反光栅(1-10)和第一包层光滤除器(1-11)；所述第一拉曼种子激光器(1-1)产生拉曼信号光，波长为λ1，所述拉曼泵浦光纤振荡器(1-2)产生拉曼泵浦光，波长为λ2，其中，两者关系满足λ1等于λ2的一级受激拉曼散射平移波长，第一拉曼种子激光器(1-1)的输出光纤熔接拉曼泵浦光纤振荡器(1-2)的输入光纤，产生的拉曼信号光通过拉曼泵浦光纤振荡器(1-2)，所述拉曼泵浦光纤振荡器(1-2)为长腔长光纤振荡器，腔内渡越时间不低于200ns。

2.如权利要求1所述的抑制高阶拉曼的光纤激光器种子源，其特征在于，所述第一拉曼种子激光器(1-1)包括拉曼种子源(1-3)，拉曼种子源(1-3)的输出光纤连接隔离器(1-4)的输入光纤，隔离器(1-4)的输出光纤与第一拉曼种子激光器(1-1)的输出光纤连接，拉曼种子源(1-3)为单模半导体激光器或者单频激光器。

3.如权利要求2所述的抑制高阶拉曼的光纤激光器种子源，其特征在于，所述拉曼种子源(1-3)产生拉曼信号光，波长为λ1，输出功率为10～50mW。

4.如权利要求3所述的抑制高阶拉曼的光纤激光器种子源，其特征在于，所述λ1位于1100nm～1200nm之间。

5.如权利要求2所述的抑制高阶拉曼的光纤激光器种子源，其特征在于，所述拉曼种子源(1-3)的输出光纤为单包层光纤，单包层光纤的纤芯直径为4～6nm，纤芯数值孔径为0.1～0.12。

6.如权利要求2所述的抑制高阶拉曼的光纤激光器种子源，其特征在于，所述隔离器(1-4)的输入光纤、输出光纤、第一拉曼种子激光器(1-1)的输出光纤均为单包层光纤，隔离器(1-4)的输入光纤、输出光纤和第一拉曼种子激光器(1-1)的输出光纤的纤芯直径以及纤芯数值孔径均等于拉曼种子源(1-3)的输出光纤的纤芯直径和纤芯数值孔径。

7.如权利要求1所述的抑制高阶拉曼的光纤激光器，其特征在于，所述高反光栅(1-7)的中心波长等于λ2，所述高反光栅(1-7)在中心波长反射率不低于99％，所述低反光栅(1-10)的中心波长与所述高反光栅(1-7)一致，所述低反光栅(1-10)在中心波长的反射率在5％～10％之间；第一泵浦信号合束器(1-6)的信号光纤与拉曼泵浦光纤振荡器的输入光纤熔接，第一泵浦信号合束器(1-6)的输出光纤与高反光栅(1-7)的输入光纤熔接，第一泵浦光源(1-5)的输出光纤与第一泵浦信号合束器(1-6)的泵浦光纤熔接，高反光栅(1-7)的输出光纤与第一双包层掺镱光纤(1-8)的输入端熔接，第一双包层掺镱光纤(1-8)的输出端与第一双包层传能光纤(1-9)的输入端熔接，第一双包层传能光纤(1-9)的输出端与低反光栅(1-10)的输入端熔接，低反光栅(1-10)的输出端与第一包层光滤除器(1-11)的输入端熔接。

8.如权利要求1所述的抑制高阶拉曼的光纤激光器种子源，其特征在于，所述拉曼泵浦光纤振荡器(1-2)的输入光纤、第一泵浦信号合束器(1-6)的信号光纤和输出光纤、高反光栅(1-7)、低反光栅(1-10)、第一包层光滤除器(1-11)的输入、输出光纤均为双包层光纤，双包层光纤的纤芯直径、数值孔径、内包层直径、内包层数值孔径均与第一双包层掺镱光纤(1-8)及第一双包层传能光纤(1-9)的纤芯直径、数值孔径、内包层直径、内包层数值孔径相等。

9.如权利要求8所述的抑制高阶拉曼的光纤激光器种子源，其特征在于，所述第一双包层掺镱光纤的纤芯直径为5μm～20μm，内包层外径为125～400μm，纤芯数值孔径为0.06～0.08，内包层数值孔径为0.46～0.48。

10.如权利要求7所述的抑制高阶拉曼的光纤激光器种子源，其特征在于，所述第一泵浦光源(1-5)的输出光纤为单包层光纤，纤芯直径为105～220μm，纤芯数值孔径为0.12～0.22，第一泵浦信号合束器(1-6)的泵浦光纤为单包层光纤，其纤芯直径、纤芯数值孔径，与第一泵浦光源(1-5)的输出光纤一致。