[发明专利]用于提高脑性能或用于治疗应激的纳米粒子

权利要求书

1.一种纳米粒子或纳米粒子聚集体在制备用于在所述纳米粒子或纳米粒子聚集体暴露于电场时在有此需要的对象中提高学习、记忆和注意力的药物中的用途，其中所述纳米粒子或纳米粒子聚集体的材料选自：

i)导体材料，其中所述导体材料是标准还原电位E°高于0.2的金属，金属元素选自Ir、Pd、Pt、Au及其混合物，或者是由聚苯胺、聚吡咯、聚乙炔、聚噻吩、聚咔唑和/或聚芘组成的在其结构中具有邻接的sp2杂化碳中心的有机材料；

ii)带隙Eg低于3.0eV的半导体材料；

iii)带隙Eg等于或高于3.0eV并且介电常数ε_ijk等于或高于200的绝缘体材料；和

iv)带隙Eg等于或高于3.0eV并且介电常数ε_ijk等于或低于100的绝缘体材料，

所述介电常数ε_ijk在20℃和30℃之间以及在10²Hz直至红外频率之间测量。

2.一种纳米粒子或纳米粒子聚集体在制备用于在所述纳米粒子或纳米粒子聚集体暴露于电场时在对象中预防或治疗病理性应激的药物中的用途，其中所述纳米粒子或纳米粒子聚集体的材料选自：

i)导体材料，其中所述导体材料是标准还原电位E°高于0.2的金属，金属元素选自Ir、Pd、Pt、Au及其混合物，或者是由聚苯胺、聚吡咯、聚乙炔、聚噻吩、聚咔唑和/或聚芘组成的在其结构中具有邻接的sp2杂化碳中心的有机材料；

ii)带隙Eg低于3.0eV的半导体材料；

iii)带隙Eg等于或高于3.0eV并且介电常数ε_ijk等于或高于200的绝缘体材料；和

iv)带隙Eg等于或高于3.0eV并且介电常数ε_ijk等于或低于100的绝缘体材料，

所述介电常数ε_ijk在20℃和30℃之间以及在10²Hz直至红外频率之间测量。

3.根据权利要求1或2所述的用途，其中所述纳米粒子或纳米粒子聚集体的材料由门捷列夫周期表的IVA族元素组成，或者是门捷列夫周期表的III和V族元素的混合组合物，或者是门捷列夫周期表的II和VI族元素的混合组合物。

4.根据权利要求3所述的用途，其中所述纳米粒子或纳米粒子聚集体的材料由门捷列夫周期表的IVA族元素组成并掺杂有选自Al、B、Ga、In和P的电荷载体。

5.根据权利要求1或2所述的用途，其中所述介电常数ε_ijk在20℃和30℃之间以及在10²Hz直至红外频率之间测量。

6.根据权利要求1或2所述的用途，其中所述带隙Eg等于或高于3.0eV并且介电常数ε_ijk等于或高于200的绝缘体材料是选自BaTiO₃、KTaNbO₃、KTaO₃、SrTiO₃和BaSrTiO₃的混合金属氧化物。

7.根据权利要求1或2所述的用途，其中所述带隙Eg等于或高于3.0eV并且介电常数ε_ijk等于或低于100的绝缘体材料是选自CeO₂、SiO₂、SnO₂、Ta₂O₅、ZrO₂、HfO₂、Y₂O₃和碳金刚石的金属氧化物。

8.根据权利要求1或2所述的用途，其中所述纳米粒子或纳米粒子聚集体也在有此需要的对象中提高学习、记忆和注意力。

9.根据权利要求1或2所述的用途，其中所述纳米粒子或纳米粒子聚集体呈现亲水性中性表面电荷或包覆有选自向纳米粒子赋予中性表面电荷的亲水剂的生物相容性材料。