[发明专利]电平检测电路和电平转换电路有效
| 申请号: | 202211134702.X | 申请日: | 2022-09-19 |
| 公开(公告)号: | CN115225078B | 公开(公告)日: | 2022-12-02 |
| 发明(设计)人: | 谭在超;张胜;罗寅;丁国华 | 申请(专利权)人: | 苏州锴威特半导体股份有限公司 |
| 主分类号: | H03K19/01 | 分类号: | H03K19/01;H03K19/017;H03K19/0175;H03K19/0185 |
| 代理公司: | 无锡市汇诚永信专利代理事务所(普通合伙) 32260 | 代理人: | 葛莉华 |
| 地址: | 215600 江苏省苏州*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 电平 检测 电路 转换 | ||
1.电平检测电路,其特征在于,包括
信号处理单元,包括输入端和输出端,被配置于对输入的信号进行反相;
第一脉冲信号产生单元和第二脉冲信号产生单元;所述第一脉冲信号产生单元与所述输出端电连接,在所述输出端的信号电平发生改变时产生至少一个脉冲信号;所述第二脉冲信号产生单元与所述输入端电连接,在所述输入端的信号电平发生改变时产生至少一个脉冲信号;
第一负载支路、第二负载支路、第一主开关支路、第一旁开关支路、第二主开关支路、第二旁开关支路和电流源;
所述第一主开关支路的输入端和第一旁开关支路的输入端分别与所述第一负载支路的输出端电连接;所述第一主开关支路的控制端与信号处理单元的输入端电连接,在信号处理单元的输入端的信号电平为第一状态时导通,产生第一电流;所述第一旁开关支路的控制端与所述第二脉冲信号产生单元的脉冲信号输出端电连接,在输入所述脉冲信号的电平为第一状态时导通,产生第二电流;所述第二电流大于第一电流;
所述第二主开关支路的输入端和第二旁开关支路的输入端分别与所述第二负载支路的输出端电连接;所述第二主开关支路的控制端与信号处理单元的输出端电连接,在信号处理单元的输出端的信号电平为第一状态时导通,产生第三电流;所述第二旁开关支路的控制端与所述第一脉冲信号产生单元的脉冲信号输出端电连接,在输入所述脉冲信号的电平为第一状态时导通,产生第四电流; 所述第四电流大于第三电流;
所述第一主开关支路的输出端和第二主开关支路的输出端分别与所述电流源电连接,所述第一旁开关支路的输出端和所述第二旁开关支路的输出端均接地。
2.根据权利要求1所述的电平检测电路,其特征在于,所述信号处理单元为反相器。
3.根据权利要求1所述的电平检测电路,其特征在于,所述第一状态为高电平状态。
4.根据权利要求1所述的电平检测电路,其特征在于,所述第一脉冲信号产生单元在所述输出端的信号电平从低电平变为高电平时产生至少一个脉冲信号;所述第二脉冲信号产生单元在所述输入端的信号电平从低电平变为高电平时产生至少一个脉冲信号。
5.根据权利要求1所述的电平检测电路,其特征在于,所述第一负载支路包括第一MOS管(P1)和第二MOS管(HN1),所述第二负载支路包括第三MOS管(P2)和第四MOS管(HN2);所述第一MOS管(P1)的源极与第三MOS管(P2)的源极电连接;所述第一MOS管(P1)的栅极分别与所述第一MOS管(P1)的漏极和第二MOS管(HN1)的漏极电连接;所述第三MOS管(P2)的栅极分别与第三MOS管(P2)的漏极和第四MOS管(HN2)的漏极电连接;所述第二MOS管(HN1)的源极为第一负载支路的输出端;所述第四MOS管(HN2)的源极为第二负载支路的输出端。
6.根据权利要求1-5任一项所述的电平检测电路,其特征在于,所述第一主开关支路包括第五MOS管(N3),所述第一旁开关支路包括第六MOS管(N1),所述第二主开关支路包括第七MOS管(N4),所述第二旁开关支路包括第八MOS管(N2);
所述第五MOS管(N3)的漏极和第六MOS管(N1)的漏极分别与第一负载支路的输出端电连接;所述第五MOS管(N3)的栅极与所述信号处理单元的输入端电连接;所述第六MOS管(N1)的栅极与所述第二脉冲信号产生单元的脉冲信号输出端电连接;
所述第七MOS管(N4)的漏极和第八MOS管(N2)的漏极分别与第二负载支路的输出端电连接;所述第七MOS管(N4)的栅极与所述信号处理单元的输出端电连接;所述第八MOS管(N2)的栅极与所述第一脉冲信号产生单元的脉冲信号输出端电连接;
所述第五MOS管(N3)的源极和第七MOS管(N4)的源极分别与所述电流源电连接;所述第六MOS管(N1)的源极和第八MOS管(N2)的源极接地。
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