[发明专利]一种高精度套刻补偿方法

说明书

本发明涉及半导体光刻技术领域，具体涉及一种高精度套刻补偿方法，包括，使用泽尼克多项式对晶圆进行全局套刻误差计算，得到逐场补偿模型参数；基于逐场补偿模型参数使用补偿公式进行计算，得到实际晶圆套刻补偿参数；对实际晶圆套刻补偿参数和实际晶圆逐场补偿模型参数进行对比，得到对比结果。对对比结果进行判断，若对比结果在预设范围内，则应用至生产工艺中进行补偿，若对比结果不在预设范围内，则探索和诊断问题，通过使用泽尼克多项式模型，以及参考晶圆的逐场补偿模型，实现对任意批次、任意机台的晶圆套刻误差的快速补偿，从而解决了现有的补偿方法效率较低的问题。

技术领域

本发明涉及半导体光刻技术领域，尤其涉及一种高精度套刻补偿方法。

背景技术

套刻精度是指在光刻制造工艺中当层图形和前层图形的叠对位置精度。由于集成电路芯片的制造是通过多层电路层叠加而成，如果当层和前层没有对准的话，芯片将无法正常工作，因此，在形成当层的过程中，减小套刻精度、确保套刻精度在偏差范围内是极为重要的一件事情。

一般都是在前一批次的晶圆中获取待测晶圆；对待测晶圆进行套刻精度检测，获取前一批次套刻精度信息；根据前一批次套刻精度信息，获取套刻偏差模型；根据套刻偏差模型，对当前批次的晶圆进行套刻偏差补偿。

采用上述方式，当前批次的晶圆的套刻精度仍然较差，从而导致套刻偏差补偿的效率降低。

发明内容

本发明的目的在于提供一种高精度套刻补偿方法，旨在解决现有的补偿方法效率较低的问题。

为实现上述目的，本发明提供了一种高精度套刻补偿方法，包括以下步骤：

使用泽尼克多项式对晶圆进行全局套刻误差计算，得到逐场补偿模型参数；

基于所述逐场补偿模型参数使用补偿公式进行计算，得到实际晶圆套刻补偿参数；

对所述实际晶圆套刻补偿参数和实际晶圆逐场补偿模型参数进行对比，得到对比结果；

对所述对比结果进行判断，若所述对比结果在预设范围内，则应用至生产工艺中进行补偿。

其中，所述晶圆包括参考晶圆和实际晶圆。

其中，所述使用泽尼克多项式对晶圆进行全局套刻误差计算，得到逐场补偿模型参数的具体方式为：

使用泽尼克多项式对参考晶圆与实际晶圆进行计算，得到参考晶圆泽尼克模型差和实际晶圆泽尼克模型差；

基于所述参考晶圆泽尼克模型差和所述实际晶圆泽尼克模型差进行计算，得到逐场补偿模型参数。

其中，所述基于所述逐场补偿模型参数使用补偿公式进行计算，得到实际晶圆套刻补偿参数的具体方式为：

使用所述逐场补偿模型对所述参考晶圆进行计算，得到参考晶圆逐场补偿模型参数；

使用补偿公式对所述参考晶圆逐场补偿模型参数和所述逐场补偿模型参数进行计算，得到实际晶圆套刻补偿参数。

其中，所述对所述实际晶圆套刻补偿参数和实际晶圆逐场补偿模型参数进行对比，得到对比结果的具体方式为：

使用所述逐场补偿模型对所述实际晶圆进行计算，得到实际晶圆逐场补偿模型参数；

对所述实际晶圆套刻补偿参数和实际晶圆逐场补偿模型参数进行对比，得到对比结果。