[发明专利]一种二次成型的高导热石墨烯厚膜及其制备方法在审

专利信息
申请号: 202211115172.4 申请日: 2022-09-14
公开(公告)号: CN115367744A 公开(公告)日: 2022-11-22
发明(设计)人: 张齐贤;颜睿;曹彦鹏;马金龙;沃虓野;霍彩霞;李爱军;罗立强;黄健 申请(专利权)人: 上海大学;上海大学绍兴研究院
主分类号: C01B32/194 分类号: C01B32/194;C01B32/198;H05K7/20
代理公司: 上海汇知丞企知识产权代理有限公司 31468 代理人: 叶丹滢
地址: 200444*** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 一种 二次 成型 导热 石墨 烯厚膜 及其 制备 方法
【权利要求书】:

1.一种二次成型的高导热石墨烯厚膜的制备方法,其特征在于,包括如下步骤:

获得单层导热石墨烯膜;

将数片涂抹氧化石墨烯溶液的单层导热石墨烯膜依次贴合,静置干燥得到多层导热石墨烯膜;

将所述多层导热石墨烯膜在10~30Mpa条件下初步加压,再在40℃的条件下进行充分干燥;

将充分干燥后的多层导热石墨烯膜在保护气体,300~400℃,10~30Mpa的条件下再加压,得到二次成型的高导热石墨烯厚膜。

2.如权利要求1所述的二次成型的高导热石墨烯厚膜的制备方法,其特征在于,单层导热石墨烯膜利用膨胀插层法获得。

3.如权利要求1所述的二次成型的高导热石墨烯厚膜的制备方法,其特征在于,将数片涂抹氧化石墨烯溶液的单层导热石墨烯膜依次贴合,静置干燥得到多层导热石墨烯膜之前还包括如下步骤:用去离子水和乙醇充分洗净单层导热石墨烯膜;将氧化石墨烯溶液均匀涂抹在单层导热石墨烯膜表面。

4.如权利要求1所述的二次成型的高导热石墨烯厚膜的制备方法,其特征在于,所述氧化石墨烯溶液的浓度为5~15mg/mL。

5.如权利要求4所述的二次成型的高导热石墨烯厚膜的制备方法,其特征在于,所述氧化石墨烯溶液的溶剂为去离子水或50%乙醇。

6.如权利要求1所述的二次成型的高导热石墨烯厚膜的制备方法,其特征在于,所述静置时间为2~10h,所述初步加压的时间为12~36h,所述再次加压的时间为24h。

7.如权利要求1所述的二次成型的高导热石墨烯厚膜的制备方法,其特征在于,所述数片为2~5片。

8.如权利要求1所述的二次成型的高导热石墨烯厚膜的制备方法,其特征在于,所述保护气体为氩气、氮气或氦气。

9.权利要求8所述的二次成型的高导热石墨烯厚膜的制备方法,其特征在于,保护气体的纯度为99.999%。

10.一种二次成型的高导热石墨烯厚膜,其特征在于,通过如权利要求1-9任一项所述的制备方法获得,所述二次成型的高导热石墨烯厚膜厚度为140~850μm,导热率为660~1200W/mK。

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