[发明专利]一种钳位电路结构在审

专利信息
申请号: 202211111550.1 申请日: 2022-09-13
公开(公告)号: CN115333525A 公开(公告)日: 2022-11-11
发明(设计)人: 刘辉 申请(专利权)人: 杭州雄迈集成电路技术股份有限公司
主分类号: H03K19/0185 分类号: H03K19/0185
代理公司: 杭州裕阳联合专利代理有限公司 33289 代理人: 王榧
地址: 311400 浙江省杭州市富阳*** 国省代码: 浙江;33
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摘要:
搜索关键词: 一种 电路 结构
【说明书】:

发明公开了一种钳位电路结构,包括第一场效应晶体管和第二场效应晶体管,所述第一场效应晶体管和第二场效应晶体管包含共同输出端;第一场效应晶体管包括第一源电压输入端和第一控制信号输入端,第二场效应晶体管包括第二源电压输入端和第二控制信号输入端;第一源电压输入端连接第一源电压,第二源电压输入端连接第二源电压,第一控制信号输入端连接第一控制信号;第二控制信号输入端连接第二控制信号;第一、第二源电压为钳位电平或输入电压,第一源电压和所述第二源电压不相同。本发明的电路结构给钳位电路提供了很大的灵活性,能够根据具体需要来调节对输入信号的低端钳位电平。

技术领域

本发明涉及一种钳位电路,具体涉及一种钳位电平可调的钳位电路结构。

背景技术

钳位电路用于将电平信号的某部分固定在选定的电平上,其中一种钳位电路是将电平信号的最低输出固定在某一固定电平上,对输入信号进行低端钳位,改钳位电路多应用在宽电源电压调节范围时对关键偏置电路处进行合理的直流偏置点设置。现有技术中,并没有能够调节低端钳位电平的钳位方法和相应的电路结构。

发明内容

为了调节钳位电路的钳位电平,本申请提供一种钳位电路结构。

一种钳位电路结构,包括第一场效应晶体管和第二场效应晶体管,所述第一场效应晶体管和第二场效应晶体管包含共同输出端;所述第一场效应晶体管包括第一源电压输入端和第一控制信号输入端,所述第二场效应晶体管包括第二源电压输入端和第二控制信号输入端;所述第一源电压输入端连接第一源电压,所述第二源电压输入端连接第二源电压,所述第一控制信号输入端连接第一控制信号;所述第二控制信号输入端连接第二控制信号;所述第一、第二源电压为钳位电平或输入电压,所述第一源电压和所述第二源电压不相同。

进一步地,所述第一、第二场效应晶体管均为PMOS管。

进一步地,所述第一、第二源电压输入端均为栅极,所述第一、第二控制信号输入端均为导通时的源极;所述第一PMOS管的栅极连接所述钳位电平,所述第一PMOS管导通时的源极连接所述输入电压;所述第二PMOS管的栅极连接所述输入电压,所述第二PMOS管导通时的源极连接所述钳位电平;所述第一控制信号为输入电压,所述第二控制信号为钳位电平。

进一步地,所述第一、第二场效应晶体管均为CMOS管,所述CMOS管包括上管和下管。

进一步地,所述第一、第二控制信号输入端均为所述CMOS管的上管的栅极;所述第一控制信号和第二控制信号均为根据所述输入电压和钳位电平处理后的处理信号,所述第一控制信号与所述第二控制信号的信号值相反。

进一步地,包括比较器、非门逻辑电路以及第一、第二CMOS管,所述第一CMOS管和第二CMOS管包含共同输出端;所述比较器的输入端连接钳位电平和输入电压,所述比较器输出端有一路输出端和二路输出端,所述一路输出端分别连接第二CMOS管中的上管的栅极以及第一CMOS管中的下管的栅极,所述二路输出端通过非门逻辑电路分别连接第一CMOS管中的上管的栅极以及第二CMOS管中的下管的栅极。

进一步地,所述上管为PMOS管,所述下管为NMOS管。

本发明还公开了一种偏置电路,包括上述的钳位电路结构。

本发明的有益效果为:

本发明中的钳位电路提供了钳位电平可调的解决方案,当输入电压低于钳位电平,输出就是钳位电平;当输入电压高于钳位电平,输出就是输入电平;这样就给钳位电路提供了很大的灵活性,能够根据具体需要来调节对输入信号的低端钳位电平;并且该钳位电路结构运用在调节宽电源电压范围时,可以对关键偏置电路处进行合理的主流偏置点设置。

附图说明

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