[发明专利]快速响应的薄膜铂电阻温度传感器及其制备方法在审
申请号: | 202211099139.7 | 申请日: | 2022-09-07 |
公开(公告)号: | CN115597736A | 公开(公告)日: | 2023-01-13 |
发明(设计)人: | 管武干;兰之康 | 申请(专利权)人: | 南京高华科技股份有限公司 |
主分类号: | G01K7/18 | 分类号: | G01K7/18 |
代理公司: | 北京中知法苑知识产权代理有限公司 11226 | 代理人: | 景艳伟 |
地址: | 210046 江苏省*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 快速 响应 薄膜 铂电阻 温度传感器 及其 制备 方法 | ||
1.一种快速响应的薄膜铂电阻温度传感器,其特征在于,包括:金属底座、隔热件以及薄膜铂电阻;其中,
所述金属底座朝向待测介质的一侧设置有凹槽,所述隔热件与所述薄膜铂电阻依次叠设在所述凹槽内,以及,所述薄膜铂电阻背离所述隔热件的一侧还设置有介质隔离层。
2.根据权利要求1所述的薄膜铂电阻温度传感器,其特征在于,所述隔热件为隔热陶瓷片。
3.根据权利要求1所述的薄膜铂电阻温度传感器,其特征在于,所述介质隔离层为玻璃烧结层。
4.根据权利要求1至3任一项所述的薄膜铂电阻温度传感器,其特征在于,所述金属底座上还设置有两个引脚,所述两个引脚分别通过引线与所述薄膜铂电阻电连接。
5.根据权利要求4所述的薄膜铂电阻温度传感器,其特征在于,所述金属底座上设置有贯穿其厚度的两个通孔,两个所述引脚分别通过玻璃烧结穿设在对应的所述通孔内。
6.一种快速响应的薄膜铂电阻温度传感器的制备方法,其特征在于,具体步骤包括:在金属底座朝向待测介质的一侧开设凹槽;
将隔热件与薄膜铂电阻依次叠设在所述凹槽内;
在所述薄膜铂电阻背离所述隔热件的一侧设置介质隔离层。
7.根据权利要求6所述的方法,其特征在于,在金属底座朝向待测介质的一侧开设凹槽之后,还包括:
沿所述金属底座厚度方向开设有两个通孔,所述通孔与所述凹槽连通;
采用玻璃粉将两个引脚分别烧结固定在对应的所述通孔内。
8.根据权利要求7所述的方法,其特征在于,所述将隔热件与薄膜铂电阻依次叠设在所述凹槽内之后,还包括:
将所述薄膜铂电阻的引线焊接在所述引脚上。
9.根据权利要求6至8任一项所述的方法,其特征在于,所述在所述薄膜铂电阻背离所述隔热件的一侧设置介质隔离层,包括:
在所述凹槽内填充玻璃粉,经烧结后在所述薄膜铂电阻背离所述隔热件的一侧形成介质隔离层。
10.根据权利要求6至8任一项所述的方法,其特征在于,所述隔热件采用隔热陶瓷片。
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