[发明专利]像素电路、显示面板及显示装置有效
申请号: | 202211081405.3 | 申请日: | 2022-09-06 |
公开(公告)号: | CN115171607B | 公开(公告)日: | 2023-01-31 |
发明(设计)人: | 周仁杰;康报虹 | 申请(专利权)人: | 惠科股份有限公司 |
主分类号: | G09G3/3208 | 分类号: | G09G3/3208;G09G3/3225 |
代理公司: | 广州三环专利商标代理有限公司 44202 | 代理人: | 杨振礼 |
地址: | 518101 广东省深圳市宝安区石岩街道石龙社区*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 像素 电路 显示 面板 显示装置 | ||
本申请涉及一种像素电路、显示面板及显示装置。像素电路的第一晶体管接收数据信号和第一扫描信号,第一扫描信号控制其导通或截止。第三晶体管的第一端接收第二电源电压,第三晶体管的第二端与发光元件的第一端电性连接,发光元件的第二端接收第一电源电压。存储电容的第一端电性连接至第一晶体管的第二端和第三晶体管的控制端。像素电路还包括第二晶体管,第二晶体管的控制端与第一晶体管的第二端、第三晶体管的控制端以及存储电容的第一端均电性连接,第二晶体管的第一端电性连接至第一晶体管的第二端。在本申请的像素电路中,设置第二晶体管,并对像素电路的结构进一步优化和完善,以避免显示面板存在显示画面的亮度不均匀或出现残影的问题。
技术领域
本申请涉及显示技术领域,尤其涉及一种像素电路、一种具有该像素电路的显示面板以及一种具有该显示面板的显示装置。
背景技术
随着显示技术的发展,有机发光二极管(Organic Light-Emitting Diode,OLED)显示面板凭借高密度、宽视角、画质均匀、响应速度快、低功耗等特点被广泛应用于高性能显示领域。其中,有源矩阵有机发光二极管(Active-matrix Organic Light-EmittingDiode,AMOLED)显示面板包括多个像素单元,每个像素单元布置了至少两个晶体管和一个电容。考虑到AMOLED显示面板存在显示画面的亮度均匀性、残影等问题,往往需要在像素单元中设置更多的薄膜场效应晶体管(Thin Film Transistor,TFT)以驱动像素单元的发光元件发光。
然而,无论对OLED显示面板或者AMOLED显示面板,上述方式会增加驱动架构的复杂度,而且仍然无法解决由于补偿问题导致的显示画面亮度不均,尤其是对于大尺寸的显示面板而言问题更为明显。
发明内容
鉴于现有技术的不足,本申请的目的在于提供一种像素电路、显示面板及显示装置,在像素电路中设置第二晶体管,并对像素电路的结构进一步优化和完善,以避免显示面板存在显示画面的亮度不均匀或出现残影的问题。
第一方面,本申请提供了一种像素电路,所述像素电路包括第一晶体管、第三晶体管、存储电容和发光元件,所述第一晶体管的控制端用于接收第一扫描信号,所述第一晶体管的第一端用于接收数据信号,所述第一晶体管根据所述第一扫描信号导通或截止,所述第三晶体管的控制端与所述第一晶体管的第二端电性连接,所述第三晶体管的第一端电性连接至第二电源端以接收第二电源电压,所述第三晶体管的第二端与所述发光元件的第一端电性连接,所述发光元件的第二端电性连接至第一电源端以接收第一电源电压;所述存储电容的第一端电性连接至所述第一晶体管的第二端和所述第三晶体管的控制端,所述存储电容的第二端电性连接至所述第一电源端,所述像素电路还包括第二晶体管,所述第二晶体管的控制端与所述第一晶体管的第二端、所述第三晶体管的控制端以及所述存储电容的第一端均电性连接,所述第二晶体管的第一端电性连接至所述第一晶体管的第二端,所述第二晶体管的第二端电性连接至所述第一电源端。
在一些实施方式中,当所述第一扫描信号处于第一电位时,所述第一晶体管处于导通状态,所述数据信号传输至所述存储电容为所述存储电容充电;当所述存储电容的电压达到预设电压值时,所述第二晶体管和所述第三晶体管导通,所述第二电源电压流经所述第三晶体管传输至所述发光元件,所述第二电源电压驱动所述发光元件发光;当第一扫描信号处于第一电位时,所述第一晶体管处于截止状态。
在一些实施方式中,所述像素电路还包括第四晶体管,所述第四晶体管的控制端用于接收第二扫描信号,所述第四晶体管的第一端用于接收一门限电压,所述第四晶体管的第二端与所述存储电容的第一端电性连接;所述第二扫描信号控制所述门限电压选择性传输至所述存储电容,为所述存储电容提供预充电压。
在一些实施方式中,当所述第四晶体管的控制端接收的所述第二扫描信号处于第一电位时,所述第四晶体管处于导通状态,所述门限电压为所述存储电容提供预充电压;当所述第四晶体管的控制端接收的所述第二扫描信号处于第二电位时,所述第四晶体管处于截止状态,所述门限电压停止为所述存储电容提供预充电压。
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