[发明专利]汽车引导优化

说明书

本申请案是针对汽车引导优化。举例来说，存储器系统可记录作为第一启动程序的多个阶段的部分而存取的地址。在第二启动程序期间，所述存储器系统可基于所述第一启动程序的所述阶段的所述记录而将用于相应阶段的信息从非易失性存储器装置的逻辑块地址传送到易失性存储器装置。所述存储器系统可在将所述信息从所述非易失性装置传送到所述易失性存储器装置之后作为所述相应阶段的部分而接收将所述信息发射到主机系统的命令。

交叉引用

本专利申请案要求IZZI等人在2021年12月28日申请的标题为“汽车引导优化(AUTOMOTIVE BOOT OPTIMIZATION)”的第17/646,254号美国专利申请案和IZZI等人在2021年8月27申请的标题为“汽车引导优化(AUTOMOTIVE BOOT OPTIMIZATION)”的第63/238,006号美国临时专利申请案的权益，所述两案中的每一者让与给本受让人且其中的每一者明确地以全文引用的方式并入本文中。

技术领域

技术领域涉及汽车引导优化。

背景技术

存储器装置广泛用于将信息存储在例如计算机、用户装置、无线通信装置、相机、数字显示器等各种电子装置中。通过将存储器装置内的存储器单元编程为各种状态来存储信息。举例来说，二进制存储器单元可以编程为通常对应于逻辑1或逻辑0的两种支持状态中的一种。在一些实例中，单个存储器单元可支持多于两个可能的状态，所述状态中的任一者可由存储器单元存储。为了存取由存储器装置存储的信息，组件可读取或感测存储器装置内的一或多个存储器单元的状态。为了存储信息，组件可以将存储器装置内的一或多个存储器单元写入或编程到对应状态。

存在各种类型的存储器装置，包含磁性硬盘、随机存取存储器(RAM)、只读存储器(ROM)、动态RAM(DRAM)、同步动态RAM(SDRAM)、静态RAM(SRAM)、铁电RAM(FeRAM)、磁性RAM(MRAM)、电阻性RAM(RRAM)、快闪存储器、相变存储器(PCM)、三维交叉点存储器(3D交叉点)、或非(NOR)和与非(NAND)存储器装置等。存储器装置可以是易失性或非易失性的。除非由外部电源周期性更新，否则易失性存储器单元(例如，DRAM单元)可随时间推移而丢失其编程状态。非易失性存储器单元(例如，NAND存储器单元)即使在不存在外部电源的情况下仍可在很长一段时间内维持其编程状态。

发明内容

一种设备可包含：非易失性存储器装置、易失性存储器装置和与所述非易失性存储器装置和所述易失性存储器装置耦合的控制器。所述控制器可以经配置以致使所述设备：记录第一启动程序的第一阶段和所述第一启动程序的第二阶段；检测第二启动程序的所述第一阶段正在发生，其中所述第二启动程序发生在所述第一启动程序之后；至少部分地基于所述第一启动程序的所述第一阶段的所述记录且响应于检测到所述第二启动程序的所述第一阶段正在发生而将用于所述第二启动程序的所述第一阶段的第一信息从所述非易失性存储器装置的第一逻辑块地址传送到所述易失性存储器装置；在将所述第一信息从所述非易失性存储器装置传送到所述易失性存储器装置之后，作为所述第二启动程序的所述第一阶段的部分而接收将所述第一信息发射到主机系统的第一命令；检测所述第二启动程序的所述第二阶段正在发生；至少部分地基于所述第一启动程序的所述第二阶段的所述记录且响应于检测到所述第二启动程序的所述第二阶段正在发生而将用于所述第二启动程序的所述第二阶段的第二信息从所述非易失性存储器装置的第二逻辑块地址传送到所述易失性存储器装置；在将所述第二信息从所述非易失性存储器装置传送到所述易失性存储器装置之后，作为所述第二启动程序的所述第二阶段的部分而接收将所述第二信息发射到所述主机系统的第二命令。