[发明专利]国产DSP核电压管理方法、电路、设备及介质

权利要求书

1.一种国产DSP核电压管理方法，其特征在于，包括以下步骤：

S1，MSU控制内核电压对应的电源芯片将内核电压默认设置成高电压；

S2，功能应用程序在初始化时将是否会同时运行FFT和DMA的情况通知MSU；

S3，MSU监测是否有DSP芯片内核电压需要设置成低电压；如果有，将DSP芯片内核电压设置成低电压，进行步骤S4，否则，进行步骤S5；

S4，MSU控制内核电压对应的电源芯片将内核电压设置成高电压，进行步骤S6；

S5，MSU控制内核电压对应的电源芯片将内核电压设置成低电压，进行步骤S6；

S6，MSU采集并比较飞腾M6678内核电压是否与设置的一致，不一致则通过控制总线上报系统控制飞腾M6678内核电压异常。

2.根据权利要求1所述的国产DSP核电压管理方法，其特征在于，所述功能应用程序在初始化时将是否会同时运行FFT和DMA的情况通知MSU，采用的通知方式为EMIF，通知的内容为存在同时运行FFT和DMA情况通知内容为1，不存在同时运行FFT和DMA情况通知内容为0。

3.根据权利要求1所述的国产DSP核电压管理方法，其特征在于，所述内核电压低电压范围为0.90～0.95V，高电压范围为1.00～1.05V。

4.根据权利要求1所述的国产DSP核电压管理方法，其特征在于，所述电源芯片包括HCE4630ML/MB或其替换型号。

5.根据权利要求1所述的国产DSP核电压管理方法，其特征在于，控制内核电压对应的电源芯片将内核电压设置成高电压或者低电压的控制方式为调节在VFB引脚与GND之间增设电阻RFB的阻值。

6.根据权利要求5所述的国产DSP核电压管理方法，其特征在于，所述RFB的阻值调节采用电阻R1、R2串联，R2并联电子开关或电磁继电器，MSU的GPIO通过驱动芯片后连接电子开关或电磁继电器控制端，控制电子开关或电磁继电器断开或闭合将R2电阻接入或移除RFB。

7.根据权利要求6所述的国产DSP核电压管理方法，其特征在于，所述R1的阻值为高电压对应阻值，R1+R2的阻值为低电压对应阻值。

8.一种国产DSP核电压管理的电路，其特征在于，包括飞腾M6678、MSU、电子开关或电磁继电器、电阻R1和电阻R2、电源芯片HCE4630；其中飞腾M6678通过EMIF接口与MSU相连接，MSU的GPIO与电子开关或电磁继电器的控制端相连接，电子开关或电磁继电器与电阻R2并联，电阻R1和电阻R2串联且一端接地另一端接HCE4630的VFB管脚，HCE4630的输出分别送入飞腾M6678的内核电压管脚VDD和MSU电压采集管脚；该国产DSP核电压管理的电路在工作时，运行如权利要求1～7中任一所述的国产DSP核电压管理方法。

9.一种计算机设备，其特征在于，所述计算机设备包括处理器和存储器，所述存储器中存储有计算机程序，当所述计算机程序被所述处理器加载并执行如权利要求1～7任一项所述的方法。

10.一种可读存储介质，其特征在于，在可读存储介质中存储有计算机程序，所述计算机程序被处理器加载并执行如权利要求1～7任一项所述的方法。