[发明专利]一种基于霍尔效应的高性能零磁通大电流传感器在审

专利信息
申请号: 202210988551.8 申请日: 2022-08-17
公开(公告)号: CN115420930A 公开(公告)日: 2022-12-02
发明(设计)人: 武旭;黄海宏;王林森;彭岚;李亚;汪宇航;蒋力 申请(专利权)人: 中国科学院合肥物质科学研究院;合肥工业大学
主分类号: G01R15/20 分类号: G01R15/20;G01R19/25
代理公司: 北京科迪生专利代理有限责任公司 11251 代理人: 江亚平
地址: 230031 安徽省*** 国省代码: 安徽;34
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摘要:
搜索关键词: 一种 基于 霍尔 效应 性能 零磁通大 电流传感器
【说明书】:

发明公开了一种基于霍尔效应的高性能零磁通大电流传感器,包括有传感器测量头和信号处理单元。所述传感器测量头包括由8个线圈绕组、4个L型聚磁磁芯、4个霍尔元件、4路电流源;所述信号处理单元包括运算放大电路、DSP处理电路、光耦电路、功率放大电路及上位机。本发明设计了基于DSP为核心的数字控制系统构成及技术实现,采用DSP作为主控制器,结合CPLD实现信息的分配;设计了控制系统的硬件电路,包括运算放大电路、DSP处理电路、光耦电路、功率放大电路;设计了系统应用软件。本发明可保证传感器精度和抗干扰能力,同时可增大输出功率,并通过上位机调节参数方便了调试。

技术领域

本发明属于大电流传感器领域,具体涉及一种基于霍尔效应的高性能零磁通大电流传感器,可用于测量交、直流电流和脉冲电流。

背景技术

传感器技术是现代信息技术的三大支柱之一,作为世界上应用范围最广、数量最多传感器之一的霍尔电流传感器,具有灵敏度高,精度高,温漂小,工作寿命长,可靠性、安全性高等优点。霍尔大电流传感器是市面上最常用的电流测量装置,它采用霍尔半导体元件作为磁场检测单位,通过检测原边电流产生的磁场大小来实现对原边电流的测量。霍尔电流传感器可分为开环型和闭环型两种。开环型霍尔电流传感器以磁芯作为导磁体,而将霍尔元件置于磁芯的气隙中,由于磁芯良好的导磁特性,磁芯部分的磁阻远远小于气隙的磁阻,在霍尔半导体芯片线性区间内,气隙中的磁感应强度与被测原边电流保持稳定的线性关系,测量两磁芯间气隙内的磁感应强度,结合气隙磁芯的传感系数即可获得被测原边电流的大小;但由于磁芯存在磁滞和损耗,当被测原边电流在较大范围内变化时,气隙间的磁感应强度与被测原边电流之间的线性关系将发生变化,被测原边电流越小,这种偏差越明显,因此开环型霍尔电流传感器往往精度不高,一般在10-2级左右。闭环型霍尔电流传感器即零磁通霍尔电流传感器,是在开环型霍尔电流传感器的基础改进而来,首先在磁芯上均匀套上一个线圈绕组,其次霍尔元件的功能不再是直接检测气隙间磁感应强度的大小,而是用来检测气隙间剩余磁通,霍尔元件输出的霍尔电势控制驱动一定大小的电流通过线圈绕组,使气隙中的霍尔元件始终处于动态的零磁通环境中。当测量电流时,线圈绕组与被测原边电流具有良好的线性关系,比例系数为线圈绕组的绕线匝数与被测原边电流绕线匝数之比,通过检测线圈绕组中的电流大小即可求得被测原边电流的大小。闭环型电流传感器稳定可靠,可干扰能力强,准确度可高达10-3级。综上所述,开环型霍尔电流传感器具有气隙磁芯的非线性,准确度不高,动态范围小,响应速度慢等缺点;然而闭环型霍尔电流传感器很好的解决了开环型存在的不足,因而得到了广泛的应用。

霍尔效应最早是在研究通电金属与磁场的关系时发现的,后来人们采用半导体材料取代了金属材料取得了较好的效果。具体产生的过程为:将通电的半导体材料放入磁场中,磁场的方向与电流方向夹角成90度放置,这时由于导体中载流子受到洛伦兹力作用会发生偏移,在半导体薄片的两边会产生一个电压差,在电场及磁场力的作用下载流子的运动达到一个平衡状态,这一过程即为霍尔效应产生的过程,产生的电压称之为霍尔电势,霍尔电势Vh为:

Vh=Kh*I*B=Rh/d*f(L/b)*I*B (1)

式中:I——通过霍尔元件的电流

B——垂直霍尔元件的磁感应强度

Kh——霍尔材料灵敏度系数

Kh=Rh/d*f(L/b) (2)

其中:Rh——霍尔系数

L、b、d——霍尔元件的长、宽、高

f(L/b)——修正系数

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