[发明专利]一种墙嵌式耐辐照宽量程复合电离室探测器及其测量方法

说明书

本发明公开了一种墙嵌式耐辐照宽量程复合电离室探测器及其测量方法，电离室探测器包括依次连接形成一体式结构的电子学电路装置、铅屏蔽体和电离室；铅屏蔽体为一实心柱状结构，在铅屏蔽体内部贯通设置三个S形弯道，每个S形弯道用于供导线通过，导线用于将电离室和电子学电路装置数据连接。本发明解决了现有探测器中，电子学电路装置的寿命短、电离室的测量量程范围小、电离室探测器抗干扰能力差的问题。

技术领域

本发明属于电离室技术领域，具体涉及一种墙嵌式耐辐照宽量程复合电离室探测器及其测量方法。

背景技术

现有电离室探测器一般只有一个收集极，所以电离室的测量范围较小，若保证了测量下限，就不能保证上限，反之亦是。同时，现有电离室探测器的电子学电路通常都暴露在辐照环境下，容易影响其寿命，使得探测器的稳定性差。常规方法是通过硬电缆，将弱电流信号输送至电子学电路，让电子学电路远离辐照，但是这样会使得信号的抗干扰能力变差，而且硬电缆的连接工艺复杂，成本高。

发明内容

本发明的目的是提供一种墙嵌式耐辐照宽量程复合电离室探测器及其测量方法，以解决现有电子学电路装置的寿命短、电离室的测量量程范围小、电离室探测器抗干扰能力差的问题。

本发明采用以下技术方案：一种墙嵌式耐辐照宽量程复合电离室探测器，包括依次连接形成一体式结构的电子学电路装置、铅屏蔽体和电离室；

电离室包括一筒状外壳，外壳内设置有一第一收集极，第一收集极为细长杆，第一收集极外同轴套装有一内高压极，内高压极为中空筒体，第一收集极的底端位于内高压极内、且与内高压极的底端不接触；内高压极外依次同轴套装有一第二收集极和外高压极，第二收集极包括筒体和在筒体顶端设置的至少三个输出轴；外高压极为中空筒体，第一收集极的顶端从外高压极的顶端穿出，内高压极的顶端与外高压极的顶端连接，筒体的顶端与外高压极的顶端不接触，各个输出轴从外高压极的顶端穿出；内高压极的底端位于筒体内、且其与筒体的底端不接触，筒体的底端位于外高压极内、且其与外高压极的底端不接触；

铅屏蔽体为一实心柱状结构，在铅屏蔽体内部贯通设置三个S形弯道，每个S形弯道用于供导线通过，导线用于将电离室和电子学电路装置数据连接。

进一步的，外壳的底部为敞口，且敞口处密封设置有一缓冲底座，缓冲底座向电离室内部设置有弹簧，外高压极和弹簧之间设置有环状的绝缘件。

进一步的，电离室和铅屏蔽体之间同轴设置环形绝缘件，环形绝缘件外侧同轴设置密封圈。

进一步的，各个输出轴按以第一收集极为圆心的圆形阵列布置。

进一步的，在各个输出轴外、且位于与外高压极相交处均套设有绝缘子，在第一收集极外、且位于与外高压极相交处设置有绝缘子。

进一步的，电子学电路装置包括一壳体，其内部设置有PCB组件，壳体顶部设置有插座。

本发明采用的第二种技术方案是，一种墙嵌式耐辐照宽量程复合电离室探测器的测量方法，包括以下内容：

将连接在第一收集极、第二收集极和高压极的导线分别通过三个S形弯道延伸至电子学电路装置中；

将电子学电路装置和铅屏蔽体嵌入待测环境的墙体中，将电离室暴露于待测环境中；

电离室通过外高压极与第二收集极的配合，收集低剂量电离信号，通过内高压极与第一收集极配合，收集高剂量电离信号；

将收集到的电离信号通过穿设于S形弯道内的导线，传输至电子电路学装置中进行数据处理，以完成待测环境的电离辐射值的测量。