[发明专利]存储设备

说明书

一种存储设备包括非易失性存储器件和存储控制器，该非易失性存储器件包括存储单元阵列，该存储控制器用于控制非易失性存储器件。存储单元阵列包括字线、存储单元和将字线划分为存储块的字线切割区。存储控制器包括纠错码(ECC)引擎和存储器接口，ECC引擎包括ECC编码器。ECC编码器对用户数据中的每一个子数据单元执行第一ECC编码操作，以产生奇偶校验位并产生多个ECC扇区；选择要存储在外单元中的外单元位，以构成包括外单元位的外ECC扇区；以及对外ECC扇区执行第二ECC编码操作，以产生外奇偶校验位。存储器接口向非易失性存储器件发送包括ECC扇区和外奇偶校验位的码字集。

相关申请的交叉引用

本申请要求向韩国知识产权局于2021年10月7日递交的韩国专利申请No.10-2021-0132925和于2021年12月9日递交的韩国专利申请No.10-2021-0175369的优先权，每一个申请的全部公开内容通过引用并入本文中。

技术领域

示例实施例总体上涉及半导体集成电路，并且更具体地涉及存储设备。

背景技术

半导体存储器件分类为易失性存储器和非易失性存储器。

易失性存储器可能在断电时丢失存储在其中的内容。非易失性存储器甚至在断电时也可以保留存储的内容。作为非易失性存储器件之一的闪存可以具有以下优点：大容量存储能力、相对较高的抗噪性和低功耗操作。因此，闪存器件被用于各种领域。例如，诸如智能电话或平板PC的移动系统采用闪存作为存储介质。

随着闪存器件的制造工艺缩减并且闪存器件的存储单元被堆叠，发生存储单元劣化并且存储单元的数据保持特性劣化。

发明内容

一方面提供了一种能够增强纠错能力的存储设备。

另一方面提供了一种能够增强纠错能力的存储设备的操作方法。

根据一个或多个示例实施例的一方面，一种存储设备包括非易失性存储器件和存储控制器，该非易失性存储器件包括存储单元阵列，该存储控制器用于控制非易失性存储器件。存储单元阵列包括：多条字线，堆叠在衬底上；多个存储单元，设置在沿相对于衬底的竖直方向延伸的多个沟道孔中；以及字线切割区，沿第一水平方向延伸并将多条字线划分为多个存储块。存储控制器包括纠错码(ECC)引擎和存储器接口，其中ECC引擎包括ECC编码器。在对与多条字线中的目标字线耦接的目标页中的目标存储单元进行的写入操作中，ECC编码器对用户数据中的多个子数据单元中的每一个执行第一ECC编码操作以产生与多个子数据单元中的每一个相关联的奇偶校验位，并基于多个子数据单元和奇偶校验位产生多个ECC扇区；基于纠错模式信号，从多个ECC扇区中选择要在目标存储单元中的外单元中存储的外单元位，以构成包括外单元位的外ECC扇区；以及对外ECC扇区执行第二ECC编码操作以产生外奇偶校验位。存储器接口向非易失性存储器件发送包括多个ECC扇区和外奇偶校验位的码字集。