[发明专利]一种高温抗氧化红外隐身涂层及其制备方法

权利要求书

1.一种高温抗氧化红外隐身涂层，其特征在于，所述高温抗氧化红外隐身涂层包括有从基底向外，依次为扩散阻碍层、低红外发射率功能层和抗氧化保护层；其中，所述扩散阻碍层由TiAlSiN、AlCrSiN、TiSiN陶瓷中任一种构成，所述抗氧化保护层由TiAlSiN、AlCrSiN、TiSiN陶瓷中任一种构成，所述低红外发射率功能层的材料为Ti、Cr、Mo纯金属及其二硼化物的任一种。

2.根据权利要求1所述的一种高温抗氧化红外隐身涂层，其特征在于，所述扩散阻碍层的厚度为70-150nm，所述抗氧化保护层的厚度为70-150nm，所述低红外发射率功能层的厚度≥60nm。

3.根据权利要求1所述的一种高温抗氧化红外隐身涂层，其特征在于，所述基底的材料为硅、陶瓷、金属中的一种。

4.根据权利要求1所述的一种高温抗氧化红外隐身涂层，其特征在于，所述低红外发射率功能层与所述扩散阻碍层、所述抗氧化保护层相接触。

5.一种如权利要求1-4任一项所述的高温抗氧化红外隐身涂层的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

S1，样品前处理：将选中的基底按顺序放入丙酮和乙醇中超声清洗，去除表面油污和水渍；

S2，装夹进炉：将处理后的样品均匀固定在转架上，并装入电弧离子镀膜机内；

S3，加热、抽真空：将炉腔内抽至真空，并升高温度；

S4，沉积涂层：在基底上先沉积一层扩散阻碍层，再沉积一层低红外发射率功能层，最后再沉积一层抗氧化保护层，完成高温抗氧化红外隐身涂层的制备。

6.根据权利要求5所述的一种高温抗氧化红外隐身涂层的制备方法，其特征在于，所述步骤S4中沉积涂层过程采用电弧离子镀和磁控溅射。

7.根据权利要求5所述的一种高温抗氧化红外隐身涂层的制备方法，其特征在于，所述步骤S4中先沉积一层扩散阻碍层：沉积温度450℃，偏压40V，弧流80A，氮气分流1200sccm。

8.根据权利要求5所述的一种高温抗氧化红外隐身涂层的制备方法，其特征在于，所述步骤S4中再沉积一层低红外发射率功能层，其中沉积纯金属涂层时：更换纯金属靶，沉积温度450℃，偏压100V，弧流65A，氩气分流25sccm；其中沉积硼化物涂层时：更换磁控溅射沉积，沉积温度400℃，腔压0.4Pa，功率300W，氩气分流25sccm。

9.根据权利要求5所述的一种高温抗氧化红外隐身涂层的制备方法，其特征在于，所述步骤S4中最后再沉积一层抗氧化保护层：沉积温度450℃，偏压40V，弧流80A，氮气分流1200sccm。