[发明专利]集成三维波导的光学组件及光芯片在审
| 申请号： | 202210854673.8 | 申请日： | 2022-07-17 |
| 公开（公告）号： | CN115144959A | 公开（公告）日： | 2022-10-04 |
| 发明（设计）人： | 陈林 | 申请（专利权）人： | 上海图灵智算量子科技有限公司;图灵智算量子科技（北京）有限公司 |
| 主分类号： | G02B6/12 | 分类号： | G02B6/12;G02B6/26;G02B6/122 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 201203 上海*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 集成 三维 波导 光学 组件 芯片 | ||
1.一种集成三维波导的光学组件，其包括：
基底；
三维波导，其位于所述基底的内部；
第一波导，其位于所述基底的上方，其中所述三维波导的一端延伸到所述基底的表面且与所述第一波导的至少一部分耦接，以及
光器件，其与所述第一波导耦接，
其中所述第一波导的一端的表面渐缩使得光能够从所述三维波导通过倏逝波耦合的方式进入所述第一波导。
2.根据权利要求1所述的光学组件，其中所述光器件位于所述第一波导的内部或表面。
3.根据权利要求1所述的光学组件，其中所述光器件位于所述基底的所述表面之上，且所述第一波导的至少一部分包覆所述光器件的至少一部分。
4.根据权利要求1所述的光学组件，其中所述第一波导沉积生长于所述基底之上。
5.根据权利要求1所述的光学组件，其中所述第一波导包括氮化硅波导和氮氧化硅波导中的至少一者。
6.根据权利要求1所述的光学组件，其中所述三维波导的所述一端与所述第一波导的一端的至少一部分耦接。
7.根据权利要求6所述的光学组件，其中所述光器件与与所述第一波导的所述一端相对的另一端耦接。
8.根据权利要求6所述的光学组件，其中所述第一波导的所述一端的表面宽度沿着光在所述第一波导中的传输方向渐增至第一宽度。
9.根据权利要求8所述的光学组件，其中所述第一波导的所述一端的表面宽度沿着光在所述第一波导中的传输方向渐增至第一宽度后渐减至第二宽度。
10.一种光芯片，其包括多个根据前述权利要求1-9中任一权利要求所述的光学组件。
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