[发明专利]高速光检测装置

权利要求书

1.一种电路，包含：

一光检测器，包含一第一读出端子及一第二读出端子，该第二读出端子不同于该第一读出端子；

一第一读出电路，耦接于该第一读出端子，并被配置用于输出一第一读出电压；

一第二读出电路，耦接于该第二读出端子，并被配置用于输出一第二读出电压；以及

一共模模拟数字转换器，包含：

一第一输入端子，耦接于一第一电压源；

一第二输入端子，耦接于一共模产生器，该共模产生器被配置用于接收该第一读出电压及该第二读出电压并产生一共模电压，该共模电压介于该第一读出电压及该第二读出电压之间；以及

一第一输出端子，被配置用于输出对应于该光检测器产生的一电流量的一第一输出信号。

2.如权利要求1所述的电路，还包含一差模模拟数字转换器，该差模模拟数字转换器包含：

一第三输入端子，耦接于该第一读出电路，并被配置用于接收该第一读出电压；

一第四输入端子，耦接于该第二读出电路，并被配置用于接收该第二读出电压；以及

一第二输出端子，被配置用于输出对应于该光检测器产生的一时差测距信息的一第二输出信号，

其中，该电路被操作以同步产生该第一输出信号及该第二输出信号。

3.如权利要求1所述的电路，其中该第一读出电路包含：

一第一电容器，耦接于该第一读出端子；以及

一第一源极随耦器电路，耦接于该第一电容器，并被配置用于产生该第一读出电压；以及

其中该第二读出电路包含：

一第二电容器，耦接于该第二读出端子；以及

一第二源极随耦器电路，耦接于该第二电容器，并被配置用于产生该第二读出电压。

4.如权利要求1所述的电路，其中该第一读出电路包含：

一第一MOSFET晶体管，包含：

一第一栅极端子，耦接于一第一控制电压源；

一第一沟道端子；以及

一第二沟道端子，耦接于该光检测器的该第一读出端子；

一第二MOSFET晶体管，包含：

一第二栅极端子，耦接于一第二控制电压源；

一第三沟道端子，耦接于一供应电压节点；以及

一第四沟道端子，耦接于该第一沟道端子；

一第一电容器，耦接于该第一MOSFET晶体管的该第一沟道端子；以及

一第一源极随耦器电路，耦接于该第一电容器，并被配置用于产生该第一读出电压，以及

其中该第二读出电路包含：

一第三MOSFET晶体管，包含：

一第三栅极端子，耦接于该第一控制电压源；

一第五沟道端子；以及

一第六沟道端子，耦接于该光检测器的该第二读出端子；

一第四MOSFET晶体管，包含：

一第四栅极端子，耦接于该第二控制电压源；

一第七沟道端子，耦接于该供应电压节点；以及

一第八沟道端子，耦接于该第五沟道端子；

一第二电容器，耦接于该第三MOSFET晶体管的该第五沟道端子；以及

一第二源极随耦器电路，耦接于该第二电容器，并被配置用于产生该第二读出电压。

5.如权利要求1所述的电路，其中该第一电压源包含一第三源极随耦器电路。

6.一种方法，适于测量一时差测距检测设备的性能特性，该时差测距检测设备包含一光检测器，该光检测器具有一第一读出端子及一第二读出端子，该第一读出端子耦接于一第一读出电路并被配置用于输出一第一读出电压，该第二读出端子耦接于一第二读出电路并被配置用于输出一第二读出电压，该方法包含：

在没有环境光和一时差测距光信号时，通过测量于该第一读出电压和该第二读出电压之间的一共模输出信号来测量该光检测器的一暗电流；

判断该光检测器的该暗电流是否大于一第一值；以及

于该光检测器的该暗电流大于该第一值时，判定该时差测距检测设备没有符合一性能规格。