[发明专利]监测可开关的半导体器件的方法和半导体器件的监测设备

权利要求书

1.一种用于监测可开关的半导体器件(Q1)的方法，所述半导体器件具有与其并联的保护电路(124)，其中，拾取在所述半导体器件(Q1)和所述保护电路(124)上施加的电气参数(114)，如果所述电气参数(114)大于预先已知的临界值(116)，则辨识出所述半导体器件(Q1)和/或所述保护电路(124)的损坏。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，当所述半导体器件(Q1)被断开时，使用与所述半导体器件(Q1)和所述保护电路(124)并联的存储装置(122)存储所述电气参数(114)的最大值，其中，所述最大值在存储装置(122)处被时间延迟地拾取，当所述最大值大于所述临界值(116)时，则辨识出损坏。

3.根据权利要求1或2所述的方法，其中，当辨识出损坏时，输出损坏信息(118)。

4.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中，当辨识出损坏时，通过向所述半导体器件(Q1)的控制器(102)发出阻断标注(120)来防止今后使用该半导体器件(Q1)。

5.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中，所述保护电路(124)包括抑制二极管(D1)，并且在与半导体器件(Q1)并联的所述抑制二极管(D1)上拾取电压(UDS)，其中，当所述电压(UDS)大于击穿电压(UBr)与所述抑制二极管(D1)的允许电压公差之和时，辨识出所述抑制二极管(D1)的损坏。

6.根据权利要求5所述的方法，其中，当所述电压(UDS)比所述击穿电压(UBr)与所述抑制器二极管(D1)的允许电压公差之和高出一个电压公差时，辨识出所述抑制器二极管(D1)的损坏。

7.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中，当所述电压(UDS)比所述半导体器件(Q1)的耐压强度(UDSmax)高出一个公差时，辨识出所述半导体器件(Q1)的损坏。

8.一种用于半导体器件(Q1)的监测设备(100)，所述半导体器件具有与其并联的保护电路(124)，其中，所述监测设备(100)与所述半导体器件(Q1)和所述保护电路(124)并联，其中，所述监测设备(100)的拾取装置(110)被设计为用于拾取施加于所述半导体器件(Q1)和所述保护电路(124)上的电气参数(114)，并且所述监测设备(100)的评估装置(112)被设计为用于将所述电气参数(114)与预先已知的临界值(116)进行比较，以检测所述半导体器件(Q1)和/或所述保护电路(124)的损坏。

9.根据权利要求8所述的监测设备(100)，其具有用于存储所述电气参数(114)的最大值的存储装置(122)，其中，所述拾取装置(110)与所述存储装置(122)的存储部件(C1)并联，并被设计为用于时间滞后地拾取存储在所述存储部件(C1)中的最大值作为电气参数(114)。

10.根据权利要求9所述的监测设备(100)，其中，所述存储装置(122)包括与电阻(R1)并联的二极管(D2)，其中，所述存储部件(C1)是与所述二极管(D2)和所述电阻(R1)串联的电容器(C1)。