[发明专利]一种国兰组培诱导方法有效
| 申请号: | 202210819528.6 | 申请日: | 2022-07-12 |
| 公开(公告)号: | CN115316270B | 公开(公告)日: | 2023-03-31 |
| 发明(设计)人: | 陈兰芬;李志莲;汤久杨;马喆;王颖;宋彩凤 | 申请(专利权)人: | 北京农业职业学院(中国共产党北京市委员会农村工作委员会党校) |
| 主分类号: | A01H4/00 | 分类号: | A01H4/00 |
| 代理公司: | 北京众合诚成知识产权代理有限公司 11246 | 代理人: | 林月俊 |
| 地址: | 102445 北*** | 国省代码: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 国兰组培 诱导 方法 | ||
本发明公开了一种国兰组培诱导方法,包括下述步骤:第一步:种子消毒;第二步:种子萌发及龙根诱导;第三步:龙根增殖;第四步:龙根分化出苗;第五步:生根及移栽,第二步种子萌发及龙根诱导以及第三步龙根增殖步骤采用的培养基配方均为:MS培养基+花宝2号4g/L+蛋白胨4g/L+激动素(KT)1mg/L+萘乙酸(NAA)1mg/L+活性炭0.5g/L以及蔗糖30g/L和琼脂6.5g/L,pH值为5.0‑5.5,且培养方式为光照强度为0的暗培养,培养温度为25±2℃。根据本发明的国兰组培诱导方法具有无污染、种子萌发率高、增殖倍数多、根状茎分化率高,大幅降低组培成本等优点。
技术领域
本发明涉及生物技术领域,具体地,本发明涉及植物组织培养技术。特别是,本发明涉及一种国兰组培诱导方法。
背景技术
以下对本发明的相关技术背景进行说明,但这些说明并不一定构成本发明的现有技术。
国兰是我国传统名花,具有悠久的栽培历史,其品种主要包括春兰、蕙兰、建兰、墨兰、寒兰、莲瓣兰和春剑等。国兰主要分布于我国的东南地区和西南地区,大部分品种具有较高的观赏价值和开发、利用价值。
但是众所周知,国兰野生资源有限,不能随意采挖。有一些市场化运行的国兰品种单价高,无性繁殖速度慢,也不能满足市场的大量需求。因而,通常以种子作为外植体,进行组织培养,以达到大规模繁殖的目的,而且能有效避免对国兰植株的破坏。然而,国兰的兰花种子非常细小,一个蒴果中有几十万到上百万粒种子,微小种子的胚多未成熟或发育不全,难以提供种子萌发所需要的营养,导致种子在自然条件下萌发率极低。通过组织培养的方法,人工配制合适的培养基,可以有效提高种子萌发率,推广大规模繁殖。
现有技术的方法中,关于种子消毒步骤,一般是在杂交蒴果7-8分成熟且未开裂时采下,然后进行消毒处理。具体地,例如,用体积分数75%酒精擦洗果实表面,再用质量分数0.1%升汞溶液或质量分数1%-2%的次氯酸钠溶液消毒15-20min,再以无菌水冲洗4-5次。然后将消毒后的蒴果在无菌纸上纵切,将其粉末状的种子悬浮于无菌水中,超声清洗5-10min。然后将清洗后的种子悬浮液均匀滴播在种子萌发培养基培养,培养温度26±0℃,光照强度1500-2000LX,光照时间12小时/天,种子在萌发培养基上萌发形成龙根,即,根状茎。常用的种子萌发培养基为:每升含有肌醇80-120mg、萘乙酸(NAA)0.5-2.0mg、椰子汁50-200ml、香蕉汁50-100ml、活性炭1-2g、蔗糖15-20g、琼脂5-6g,其余为ZJ1培养基,pH值约为5.5-5.7。然而,升汞属于剧毒化学试剂,因而存在不易清洗干净,容易有残留,而且对环境污染大,不环保,还需要专门机构对相关废液进行处理等缺点。次氯酸钠是强碱弱酸盐,有强氧化性,主要用于物体表面和环境等的消毒。例如,家庭消毒用的84消毒液就是一种以次氯酸钠为主要成分的消毒剂,也存在易残留、不环保等缺点,污染率为10%。此外,以前述方法及培养基培养的国兰种子的萌发率较低,仅为20-30%左右。龙根增殖倍数不高,最多为4倍,且培养时间较长,通常为90天之久。
为了解决上述问题,本申请的发明人团队经过长期的试验获得了一种国兰组培诱导方法,其能够避免前述问题,不产生污染,且提高发芽率及龙根增殖倍数,减少培养时间,降低了成本,提高了效率。
发明内容
本发明的目的在于提出一种国兰组培诱导方法,其具有无污染、种子萌发率高、增殖倍数多、根状茎分化率高,并且同时能大幅降低组培成本。
根据本发明的一个方面,提供了一种国兰组培诱导方法,包括下述步骤:第一步:种子消毒;第二步:种子萌发及龙根诱导;第三步:龙根增殖;第四步:龙根分化出苗;第五步:生根及移栽,第二步种子萌发及龙根诱导以及第三步龙根增殖步骤采用的培养基配方均为:MS培养基+花宝2号4g/L+蛋白胨4g/L+激动素(KT)1mg/L+萘乙酸(NAA)1mg/L+活性炭0.5g/L以及蔗糖30g/L和琼脂6.5g/L,pH值为5.0-5.5,且培养方式为光照强度为0的暗培养,培养温度为25±2℃。
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