[发明专利]高温超导哈氏合金基带表面离子束抛光方法及装置

权利要求书

1.高温超导哈氏合金基带表面离子束抛光方法，其特征在于，

由离子源发出的离子束经由矩形形状的引出栅后，形成具有相应矩形截面的离子束，以空间扫描式离子束对哈氏合金基带表面进行抛光处理；相对于哈氏合金基带的走带方向，离子束抛光方向与法线呈正向及负向角度；

通过引出栅出来的离子束完全覆盖哈氏合金基带的宽度方向，并在长度方向具有米级的覆盖能力。

2.根据权利要求1所述的高温超导哈氏合金基带表面离子束抛光方法，其特征在于，设置固定矩形形状的引出栅的尺寸为：宽度5mm-50mm，长度500mm-1500mm，栅孔尺寸≤2.5mm；引出栅尺寸适应于哈氏合金基带的尺寸。

3.根据权利要求1所述的高温超导哈氏合金基带表面离子束抛光方法，其特征在于，所述哈氏合金基带受到空间扫描式离子束轰击，设置频率30Hz-100Hz，离子束与哈氏合金基带法线的角度45°-85°，离子能量50eV-1500eV，离子束流30mA-1000mA。

4.根据权利要求3所述的高温超导哈氏合金基带表面离子束抛光方法，其特征在于，设置频率50Hz，离子束与哈氏合金基带法线的角度60°-70°，离子能量1000eV-1200eV，离子束流200mA-500mA。

5.根据权利要求1所述的高温超导哈氏合金基带表面离子束抛光方法，其特征在于，所述哈氏合金基带的走带速度30m/h-100m/h。

6.根据权利要求1所述的高温超导哈氏合金基带表面离子束抛光方法，其特征在于，所述离子束包括Ar离子束。

7.根据权利要求1所述的高温超导哈氏合金基带表面离子束抛光方法，其特征在于，对哈氏合金基带表面进行抛光处理过程中，使用低能电子束来中和离子束电荷。

8.根据权利要求1至7任一项所述的高温超导哈氏合金基带表面离子束抛光方法，其特征在于，原始哈氏合金基带的表面粗糙度≤20nm；经离子束抛光处理后的哈氏合金基带的表面粗糙度≤1nm。

9.高温超导哈氏合金基带表面离子束抛光装置，其特征在于，包括走带系统、离子源和真空系统；

所述走带系统，用于哈氏合金长基带的走带；

所述离子源，用于哈氏合金长基带的离子束抛光；

所述真空系统，用于离子束抛光装置抽真空；

所述离子源包括等离子体腔室(2)、设置在等离子体腔室(2)顶部的天线(1)和设置在等离子体腔室(2)出口处的引出栅(3)；

所述引出栅(3)出来的高能离子束完全覆盖哈氏合金基带的宽度方向，引出栅(3)的长度在哈氏合金基带的长度方向上具有米级的覆盖能力。

10.根据权利要求9所述的高温超导哈氏合金基带表面离子束抛光装置，其特征在于，所述引出栅(3)为矩形形状，矩形形状尺寸为：宽度5mm-50mm，长度500mm-1500mm，引出栅(3)的栅孔排布呈蜂窝状，栅孔尺寸≤2.5mm。