[发明专利]处理气体污染物的设备

说明书

一种处理气体污染物的设备，包括一进气部、一第一处理单元、一第二处理单元以及一非机械式引流装置，该进气部，包括一进气腔室及至少一导引管路，该导引管路连通至该进气腔室并将一来自半导体制程的流出物导引至该进气腔室，该第一处理单元耦接于该进气部下方并用以减弱该流出物，该非机械式引流装置耦接于该第一处理单元，该引流装置用于导引该流出物朝一开口移动，该第二处理单元经由该开口耦接至该引流装置，并接收从该第一处理单元来的该流出物并进一步地减弱该流出物。

本申请是进入中国国家阶段日为2022年6月8日、国家申请号为202180007067.6、发明名称为“处理气体污染物的设备”的专利申请的分案申请。

技术领域

本发明关于一种处理气体污染物的设备，尤指一种处理半导体制程的流出物的设备。

背景技术

半导体制程中的尾气含有多种对人体或环境有害的化学物质，常见的尾气处理设备，包括燃烧式、等离子式、水洗式以及触媒式等。

对于水溶性的有害物质来说，水洗式(或称湿式)尾气处理设备具备合理的购置成本以及简易安装等优势，在实际应用上常搭配磊晶制程或半导体蚀刻制程。习知技术的水洗式尾气处理设备可见于美国专利公开第US20100119420号，揭示一种具有增进之流出物洗涤及水份控制的减降系统，包括一排放导管、复数个填充床、一或多个喷头以及一滴注器，该排放导管用于使一流出物流能流经其中，该填充床设置在该排放导管中，以自该流出物流移除非可排放流出物，该喷头配置以在相邻的填充床之间提供一流出物处理剂，该流出物处理剂用于自该流出物流移除非可排放流出物，该滴注器设置在该排放导管中而位于一最上方填充床上方，用于以大液滴来提供该流出物处理剂，以实质上润湿且润洗来自该最上方填充床之上表面的微粒，而不会形成微细液滴。

对于化学气相沉积(Chemical Vapor Deposition,CVD)制程所产生的硅烷(Silane)、砷化三氢(Arsine)、磷化氢(Phosphine)等污染物质，则常采用燃烧式的尾气处理设备，传统的商用产品包括来自于DAS公司的LARCH型号机台或是来自于Edwards公司的Spectra系列机台。

发明内容

根据本发明的一方面，提供一种处理气体污染物的设备，包括：一进气部，包括一进气腔室以及至少一导引管路，该导引管路连通至该进气腔室并将一来自半导体制程的流出物导引至该进气腔室；一第一洗涤塔，耦接于该进气部下方，该第一洗涤塔直向地延伸且包括一与该进气腔室连通的第一顶部开口、一与该第一顶部开口连通的第一腔室、一位于该第一腔室内的内壁、一侧向地连通于至该第一腔室的液体入口以及一与该第一腔室连通的第一底部开口，该液体入口用于供一水流进入该第一腔室而在该内壁形成一水帘；一第二洗涤塔，与该第一洗涤塔相邻地设置，该第二洗涤塔直向地延伸且包括一与该第一腔室连通的第二底部开口、一与该第二底部开口连通的第二腔室、一与该第二腔室连通的第二顶部开口以及复数个设置于该第二腔室内的喷射件；一第三洗涤塔，与该第二洗涤塔相邻地设置，该三洗涤塔直向地延伸且包括一与该第二腔室连通的第三顶部开口、一与该第三顶部开口连通的第三腔室、一与该第三腔室连通的第三底部开口、一与该第三顶部开口相邻设置的引流装置以及至少一位于该引流装置下方以接收来自该引流装置的气流的填充床；一循环水箱，耦接于该第一洗涤塔、该第二洗涤塔以及该第三洗涤塔下方，该循环水箱包括一蓄有一液体的集水空间、一第一上开口、一第二上开口以及一第三上开口，该第一上开口、一第二上开口以及一第三上开口分别连通至该第一腔室、该第二腔室以及该第三腔室，该集水空间包括一第一区域、一第二区域以及一设置于该第一区域以及该第二区域之间的阻隔件；其中，该第一区域在该第一洗涤塔的该第一底部开口以及该第二洗涤塔的该第二底部开口之间形成一暴露于该液体的第一流道，以供该流出物从该第一洗涤塔经该第二洗涤塔流动至该第三洗涤塔，该第二区域接收受该第三洗涤塔的该引流装置驱动的该流出物。

在一实施例中，该引流装置设置于该第三腔室的一上方隔室，该上方隔室侧向地连通至该第三顶部开口且向下地连通至该填充床。