[发明专利]一种漏电断路器启动控制电路在审

专利信息
申请号: 202210813079.4 申请日: 2022-07-11
公开(公告)号: CN115085140A 公开(公告)日: 2022-09-20
发明(设计)人: 陈冲;张嘉峰;蔡子立;舒亮;章上聪 申请(专利权)人: 温州大学乐清工业研究院
主分类号: H02H1/06 分类号: H02H1/06;H02H3/00;H02H3/05;H02J9/06
代理公司: 北京高沃律师事务所 11569 代理人: 杜阳阳
地址: 325600 浙江省温州市乐*** 国省代码: 浙江;33
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摘要:
搜索关键词: 一种 漏电 断路器 启动 控制电路
【权利要求书】:

1.一种漏电断路器启动控制电路,其特征在于,包括:NMOS管和贴片电容;

上级电力系统的输出端与所述NMOS管的栅极和漏极连接,所述NMOS管的栅极接地,所述NMOS管的源极与所述贴片电容的一端连接;

所述贴片电容的一端分别与辅助电源电路和漏电断路器连接;所述贴片电容的另一端接地;

当所述辅助电源电路未启动时,所述上级电力系统为所述NMOS管的栅极提供高电平,所述NMOS管导通,经过所述贴片电容储能后为漏电保护器供电;

当所述辅助电源电路已启动时,所述辅助电源电路为所述贴片电容供电,所述贴片电容储能后使得所述NMOS管的源极为高电平,所述NMOS管截止,所述上级电力系统停止为所述漏电保护器供电。

2.根据权利要求1所述的漏电断路器启动控制电路,其特征在于,还包括:NMOS管栅极偏置电阻;

所述NMOS管栅极偏置电阻的一端与上级电力系统的输出端连接,所述NMOS管栅极偏置电阻的另一端与所述所述NMOS管的栅极连接。

3.根据权利要求2所述的漏电断路器启动控制电路,其特征在于,还包括:稳压二极管;

所述稳压二极管的一端与所述NMOS管的栅极连接;所述稳压二极管的另一端接地。

4.根据权利要求2所述的漏电断路器启动控制电路,其特征在于,还包括:限流电阻;

所述限流电阻的一端与所述上级电力系统的输出端连接,所述限流电阻的另一端与所述NMOS管栅极偏置电阻的一端连接。

5.根据权利要求1所述的漏电断路器启动控制电路,其特征在于,还包括:肖特基二极管;

所述肖特基二极管的一端与所述辅助电源电路连接,所述肖特基二极管的另一端与所述贴片电容的一端连接。

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