[发明专利]一种基于耦合电感的两相交错Boost-Sepic型高增益变换器及控制方法

权利要求书

1.一种基于耦合电感的两相交错Boost-Sepic型高增益变换器，其特征在于：包括两相交错Boost-Sepic结构、第一倍压单元、第二倍压单元和分裂电容结构；所述两相交错Boost-Sepic结构包括输入源V_in、第一独立电感L₁、第二独立电感L₂、第一开关管S₁和第二开关管S₂以及由第一耦合电感原边绕组L_c1、第二耦合电感原边绕组L_c2、电容C₁、电容C₃构成得Sepic部分，由二极管D₁、二极管D₄、电容C₅和电容C₆构成的Boost部分；两相交错Boost-Sepic结构的输出端分别连接第一倍压单元、第二倍压单元，第一倍压单元的输出端连接二极管D₃的阳极，第二倍压单元的输出端连接二极管D₆的阴极，所述分裂电容结构的两端分别连接二极管D₃的阴极、二极管D₆的阳极，构成变换器的输出部分。

2.根据权利要求1所述的一种基于耦合电感的两相交错Boost-Sepic型高增益变换器，其特征在于：两相交错Boost-Sepic结构中，电源V_in的正极分别与第一独立电感L₁和第二独立电感L₂相连，第一独立电感L₁的另一端与第一开关管S₁的漏极、二极管D₁的阳极和电容C₁的一端相连，第一开关管S₁的源极与电源V_in的负极相连；二极管D₁的阴极与电容C₅的一端、第一耦合电感原边绕组L_c1的同名端相连，电容C₅的另一端与电源V_in的负极相连；第一耦合电感原边绕组L_c1的非同名端与电容C₁的另一端相连；

第二独立电感L₂的另一端与第二开关管S₂的漏极、电容C₆的一端相连，第二开关管S₂的源极与电源V_in的负极相连，电容C₆的另一端与二极管D₄的阳极、第二耦合电感原边绕组L_c2的非同名端相连，二极管D₄的阴极与电源V_in的负极相连，第二耦合电感原边绕组L_c2的同名端与电容C₃的一端相连，电容C₃的另一端与电源V_in的负极相连。

3.根据权利要求2所述的一种基于耦合电感的两相交错Boost-Sepic型高增益变换器，其特征在于：所述第一倍压单元包括二极管D₂、电容C₂和第一耦合电感副边绕组L_c1’，二极管D₁的阴极与二极管D₂的阳极相连，二极管D₂的阴极与电容C₂的一端、二极管D₃的阳极相连，电容C₂的另一端与第一耦合电感副边绕组L_c1’的非同名端相连，第一耦合电感原边绕组L_c1的非同名端与第一耦合电感副边绕组L_c1’的同名端相连。