[发明专利]一种单晶硅片的生产工艺

说明书

本发明提供一种单晶硅片的生产工艺，涉及硅片生产技术领域。该单晶硅片的生产工艺，包括以下步骤S1、切割：在冷却液的作用下，利用多线切割装置将单晶硅片切割成不同尺寸大小要求的单晶硅片，S2、研磨：在研磨液的作用下，利用双面研磨装置对S1中的单晶硅片的上、下表面进行研磨，使其表面粗糙度符合工艺要求，本发明通过先利用多线切割装置将单晶硅片按照不同尺寸大小要求切割成目标单晶硅片，然后添加分选步骤，即可将不同尺寸大小的单晶硅片分类筛选出来，不需要增加频繁调试切割尺寸的步骤，生产步骤较少，提高了生产效率，使用起来更简洁、方便。

技术领域

本发明涉及硅片生产技术领域，具体为一种单晶硅片的生产工艺。

背景技术

单晶硅片是硅的单晶体，是一种具有基本完整的点阵结构的晶体。不同的方向具有不同的性质，是一种良好的半导材料，纯度较高。用高纯度的多晶硅在单晶炉内拉制而成，单晶硅是一种比较活泼的非金属元素，是晶体材料的重要组成部分，处于新材料发展的前沿。其主要用途是用作半导体材料和利用太阳能光伏发电、供热等。由于太阳能具有清洁、环保、方便等诸多优势，近三十年来，太阳能利用技术在研究开发、商业化生产、市场开拓方面都获得了长足发展，成为世界快速、稳定发展的新兴产业之一。

现有的技术中，单晶硅片生产工艺中一般为将单晶硅片切割成单一规格的单晶硅片，然后进行后续加工，当生产不同规格的单晶硅片时，需要多个调节正切割尺寸，增加了生产步骤，影响生产效率，使用不便。

发明内容

（一）解决的技术问题

针对现有技术的不足，本发明提供了一种单晶硅片的生产工艺，解决了单晶硅片生产过程中，生产步骤较多，生产效率较低，使用不便的问题。

（二）技术方案

为实现以上目的，本发明通过以下技术方案予以实现：一种单晶硅片的生产工艺，包括以下步骤：

S1、切割：在冷却液的作用下，利用多线切割装置将单晶硅片切割成不同尺寸大小要求的单晶硅片；

S2、研磨：在研磨液的作用下，利用双面研磨装置对S1中的单晶硅片的上、下表面进行研磨，使其表面粗糙度符合工艺要求；

S3、倒角：利用倒角装置对S2中的单晶硅片进行倒角加工，使其倒角参数符合工艺要求；

S4、清洗烘干：利用全自动超声清洗装置对S3中的单晶硅片进行清洗，然后使用烘干设备对单晶硅片进行烘干；

S5、分选：利用无接触式硅片自动分选机，对S4中的单晶硅片按照不同规格进行分类筛选；

S6、质量检测：对同一规格内的单晶硅片进行质量检测，将不良品除去。

（三）有益效果

本发明提供了一种单晶硅片的生产工艺。具备以下有益效果：

与传统技术相比，本发明通过先利用多线切割装置将单晶硅片按照不同尺寸大小要求切割成目标单晶硅片，然后添加分选步骤，即可将不同尺寸大小的单晶硅片分类筛选出来，不需要增加调试切割尺寸的步骤，生产步骤较少，提高了生产效率，使用起来更简洁、方便。

具体实施方式

下面将对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

实施例：

本发明实施例提供一种单晶硅片的生产工艺，包括以下步骤：

S1、切割：在冷却液的作用下，利用多线切割装置将单晶硅片切割成300mm和450mm的单晶硅片；

S2、研磨：在研磨液的作用下，利用双面研磨装置对S1中的单晶硅片的上、下表面进行研磨，使其表面粗糙度符合工艺要求；

S3、倒角：利用倒角装置对S2中的单晶硅片进行倒角加工，使其倒角参数符合工艺要求；