[发明专利]一种SMD石英晶体谐振器及其封装方法

权利要求书

1.一种SMD石英晶体谐振器，包括陶瓷底座和上盖，所述陶瓷底座包括陶瓷基板，其特征在于，所述陶瓷基板上设置有与上盖匹配的封装部，所述封装部包括设置在陶瓷基板上的钨层，镀制在所述钨层上的镍层，以及镀制在所述镍层上的金层，钨层、镍层、金层的厚度分别为5～100μm、0.5～20μm、0.01～6μm；所述上盖为430不锈钢，上盖盖设在所述封装部上并与陶瓷底座激光焊接。

2.如权利要求1所述的SMD石英晶体谐振器，其特征在于，钨层、镍层的厚度比为(2.5～10):1。

3.如权利要求2所述的SMD石英晶体谐振器，其特征在于，金层、镍层的厚度比为(0.0005～0.3)：1。

4.如权利要求1～3中任一项所述的SMD石英晶体谐振器，其特征在于，所述上盖包括用于与所述陶瓷底座激光焊接的上盖边沿以及与所述上盖边沿连接的中部凸起，所述中部凸起包括连接所述上盖边沿并向上翻折的折边和连接所述折边的顶壁，所述顶壁和折边形成用于容纳陶瓷基板上待密封元件的凹腔。

5.如权利要求4所述的SMD石英晶体谐振器，其特征在于，所述陶瓷基板为平板结构。

6.如权利要求5所述的SMD石英晶体谐振器，其特征在于，所述上盖边沿的宽度为50～1000μm，厚度为30～200μm。

7.如权利要求6所述的SMD石英晶体谐振器，其特征在于，所述上盖边沿的宽度为200～1000μm，厚度为100～200μm。

8.一种如权利要求1～7中任一项所述的SMD石英晶体谐振器的封装方法，其特征在于，将上盖盖设在陶瓷底座的封装部上，在保护气氛或真空下进行激光焊接。

9.如权利要求8所述的SMD石英晶体谐振器的封装方法，其特征在于，所述激光焊接的激光峰值功率为150～550W，脉冲频率为200Hz～500Hz，脉冲宽度为0.1ms～1ms，焊接速度为5～50mm/s。