[发明专利]一种单晶结构的中低镍无钴正极材料及其制备方法和应用在审
| 申请号： | 202210743171.8 | 申请日： | 2022-06-27 |
| 公开（公告）号： | CN114956209A | 公开（公告）日： | 2022-08-30 |
| 发明（设计）人： | 施泽涛;乔齐齐;额尔敦宝力高;王鹏飞;郭丰;李子郯;杨红新 | 申请（专利权）人： | 蜂巢能源科技股份有限公司 |
| 主分类号： | C01G53/00 | 分类号： | C01G53/00;H01M4/48;H01M10/0525 |
| 代理公司： | 北京远智汇知识产权代理有限公司 11659 | 代理人： | 牛海燕 |
| 地址： | 213200 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 结构 中低镍无钴 正极 材料 及其 制备 方法 应用 | ||
1.一种单晶结构的中低镍无钴正极材料的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括以下步骤：
将锂源与中低镍无钴前驱体混合，烧结，得到所述单晶结构的中低镍无钴正极材料；
其中，所述锂源包括碳酸锂和醋酸锂，所述中低镍无钴前驱体包括大粒径中低镍无钴前驱体和小粒径中低镍无钴前驱体。
2.根据权利要求1所述的单晶结构的中低镍无钴正极材料的制备方法，其特征在于，所述锂源中的锂的摩尔量与所述中低镍无钴前驱体中的金属元素的总摩尔量之比为1.08～1.3；
优选地，所述碳酸锂的摩尔量m和醋酸锂的摩尔量n之间满足：0.6＜lg(m/n)＜1.28；
所述小粒径中低镍无钴前驱体的摩尔量f和大粒径中低镍无钴前驱体的摩尔量h之间满足：0＜lg(h/f)＜0.6。
3.根据权利要求1或2所述的单晶结构的中低镍无钴正极材料的制备方法，其特征在于，所述混合过程中，混合的原料还包括掺杂剂；
优选地，所述掺杂剂的掺杂量为500～2000ppm。
4.根据权利要求1-3任一项所述的单晶结构的中低镍无钴正极材料的制备方法，其特征在于，所述大粒径中低镍无钴前驱体与小粒径中低镍无钴前驱体的化学通式的化学通式为NixMnyZ1-x-y(OH)2，0.4≤x≤0.6，0.4≤y≤0.6，Z为非钴金属元素；
优选地，所述小粒径中低镍无钴前驱体的D50为1～3μm；
优选地，所述小粒径中低镍无钴前驱体的比表面积为30～50m2/g；
优选地，所述大粒径中低镍无钴前驱体的D50为4～7μm；
优选地，所述小粒径中低镍无钴前驱体的比表面积为10～20m2/g。
5.根据权利要求1-4任一项所述的单晶结构的中低镍无钴正极材料的制备方法，其特征在于，所述烧结在空气气氛下进行；
优选地，所述空气气氛的气体流量为5～10L/min。
6.根据权利要求1-5任一项所述的单晶结构的中低镍无钴正极材料的制备方法，其特征在于，所述烧结包括依次进行第一烧结和第二烧结；
优选地，所述第一烧结和第二烧结的升温速率各自独立地包括1～5℃/min；
优选地，所述第一烧结的温度为400～600℃；
优选地，所述第一烧结的时间为3～7h；
优选地，所述第二烧结的温度为950～1100℃；
优选地，所述第二烧结的时间为8～12h。
7.根据权利要求1-6任一项所述的单晶结构的中低镍无钴正极材料的制备方法，其特征在于，将所述烧结后的产物与包覆剂进行再混合，再烧结；
优选地，所述包覆剂的包覆量为500～3000ppm；
优选地，所述再烧结的升温速率为1～3℃/min；
优选地，所述再烧结的升温速率为500～700℃；
优选地，所述再烧结的时间为4～7h。
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