[发明专利]一种采用振荡粘结工艺制备单层颗粒薄膜的方法

权利要求书

1.一种采用振荡粘结工艺制备单层颗粒薄膜的方法，其特征在于，包括以下步骤：

步骤1：在基底上涂覆一层粘性薄膜作为粘结剂；

步骤2：将固体粉末分散于步骤1中的涂覆有粘性薄膜的基底表面；

步骤3：对步骤2中的基底进行往复振荡，通过粘性薄膜在基底表面粘附单层颗粒薄膜。

2.如权利要求1所述的采用振荡粘结工艺制备单层颗粒薄膜的方法，其特征在于，所述步骤1中的粘结剂为聚乙烯亚胺、蔗糖、葡萄糖和聚乙二醇中的至少一种。

3.如权利要求1所述的采用振荡粘结工艺制备单层颗粒薄膜的方法，其特征在于，所述步骤1中的基底为导体基底、半导体基底或非导体基底。

4.如权利要求3所述的采用振荡粘结工艺制备单层颗粒薄膜的方法，其特征在于，所述导体基底为透明金属氧化物导电基底或金属基底。

5.如权利要求4所述的采用振荡粘结工艺制备单层颗粒薄膜的方法，其特征在于，所述透明金属氧化物导电基底为掺杂的SnO₂基底、In₂O₃基底、Al₂O₃基底和ZnO基底中的任意一种。

6.如权利要求4所述的采用振荡粘结工艺制备单层颗粒薄膜的方法，其特征在于，所述金属基底的材料为Ti，Sn，W，Cu，Ag，Au，Pt，Pd，Nb，Ta，Mo，Ni中的任意一种单质或多种组成的合金。

7.如权利要求3所述的采用振荡粘结工艺制备单层颗粒薄膜的方法，其特征在于，所述半导体基底的材料选自半导体薄膜材料Si，Ge，CdS，TiO₂，FeO_x，NiO，SrTiO₃，FeO_x，PbO₂，CeO_x，MnO₂和BN中的任意一种。

8.如权利要求3所述的采用振荡粘结工艺制备单层颗粒薄膜的方法，其特征在于，所述非导体基底为普通钠钙玻璃基底，硼硅玻璃基底，石英玻璃基底，或金刚石基底。

9.如权利要求1所述的采用振荡粘结工艺制备单层颗粒薄膜的方法，其特征在于，所述步骤2中的固体粉末为导体、半导体或绝缘体单晶粉末。

10.如权利要求9所述的采用振荡粘结工艺制备单层颗粒薄膜的方法，其特征在于，所述导体单晶粉末为金纳米颗粒、银纳米颗粒、铂纳米颗粒、石墨烯和C₆₀中的至少一种；所述半导体单晶粉末为纳米硅粉、板状WO₃、十面体BiVO₄、片状BiVO₄、块状TiO₂、块状Cu₂O和块状SrTiO₃中的至少一种；所述绝缘体单晶粉末为聚苯乙烯微球、二氧化硅微球、单分散甲基丙烯酸环氧丙酯微球和纳米金刚石中的至少一种。