[发明专利]一种失调消除的带隙基准电路

权利要求书

1.一种失调消除的带隙基准电路，其特征在于，包括启动单元、振荡单元和带隙基准单元，启动单元与振荡单元和带隙基准单元均连接，振荡单元也连接带隙基准单元；

启动单元产生基准电流和电压阈值，振荡单元产生两相不交叠的时钟信号，带隙基准单元根据启动单元产生的基准电流和振荡单元输出的时钟信号，输出电压；

所述振荡单元包括电流充电单元、比较单元和逻辑单元，电流充电单元接收启动单元输出的基准电流和逻辑单元输出的时钟信号输出电压至比较单元，比较单元根据启动单元输出的电压阈值对电流充电单元输出的电压信号进行比较，比较单元将电压比较结果输出至逻辑单元进行控制切换，输出控制信号至带隙基准单元；所述带隙基准单元将单个三极管的基极-发射极电压具有的负温度系数，和处在不同电流密度下的两个三极管基极-发射极的差值具有的正温度系数叠加，进行抵消；

所述逻辑单元通过所述比较单元输出的第一电压信号和第二电压信号，输出第一时钟信号、第二时钟信号、第三时钟信号和第四时钟信号，所述第三时钟信号通过所述第一时钟信号分频得到，所述第四时钟信号通过所述第二时钟信号分频得到；

所述启动单元产生的基准电流包括用于所述带隙基准单元的第一基准电流和用于所述电流 充电单元的第二基准电流；所述电流充电单元输出电压是根据两相不交叠时钟交替控制电容充电，得到对电容不断充放电的电压。

2.根据权利要求1所述的一种失调消除的带隙基准电路，其特征在于，所述启动单元包括启动电路和基准电流产生电路。

3.根据权利要求1所述的一种失调消除的带隙基准电路，其特征在于，所述第一基准电流的公式为：

其中，μ_n是电子迁移率，C_OX是栅氧化层的电容，（W/L）_M是MOS管栅极的宽长比，R是电阻的阻值，I_ref是第一基准电流。

4.根据权利要求1所述的一种失调消除的带隙基准电路，其特征在于，所述比较单元根据所述启动单元输出的电压阈值对所述电流充电单元输出的电压信号进行比较；

当所述电流 充电单元输出电压超过电压阈值后，所述比较单元输出的比较结果上升，所述电流 充电单元输出的电压低于电压阈值后，所述比较单元输出的比较结果下降。

5.根据权利要求4所述的一种失调消除的带隙基准电路，其特征在于，所述比较单元包括第一比较器和第二比较器。

6.根据权利要求1所述的一种失调消除的带隙基准电路，其特征在于，所述带隙基准单元根据所述逻辑单元输出的所述第三时钟信号和所述第四时钟信号控制开关组。