[发明专利]一种多通道放大衰减移相串口控制多功能芯片

权利要求书

1.一种多通道放大衰减移相串口控制多功能芯片，其特征在于，包括三级放大开关网络、一分三功分网络、第一数控衰减移相网络、第二数控衰减移相网络、第三数控衰减移相网络、串行驱动网络以及直通网络；

所述三级放大开关网络的输入端作为所述多通道放大衰减移相串口控制多功能芯片的射频输入端，所述三级放大开关网络的第一输出端与所述一分三功分网络的输入端连接，所述三级放大开关网络的第二输出端与直通网络的输入端连接，所述一分三功分网络的第一输出端与所述第一数控衰减移相网络的输入端连接，所述一分三功分网络的第二输出端与所述第二数控衰减移相网络的输入端连接，所述一分三功分网络的第三输出端与所述第三数控衰减移相网络的输入端连接；

所述直通网络、第一数控衰减移相网络、第二数控衰减移相网络以及第三数控衰减移相网络还均与串行驱动网络连接；

所述第一数控衰减移相网络的输出端作为所述多通道放大衰减移相串口控制多功能芯片的第一射频输出端，所述第二数控衰减移相网络的输出端作为所述多通道放大衰减移相串口控制多功能芯片的第二射频输出端，所述第一数控衰减移相网络的输出端作为所述多通道放大衰减移相串口控制多功能芯片的第三射频输出端，所述直通网络的输出端作为所述多通道放大衰减移相串口控制多功能芯片的第四射频输出端；

所述三级放大开关网络包括电容C1；

所述电容C1的一端作为所述三级放大开关网络的输入端，其另一端分别与电阻R1的一端和微带线TL1的一端连接；

所述电阻R1的另一端分别与接地电容C7、场效应管M4的栅极、场效应管M4的漏极，以及电阻R3的一端连接，所述场效应管M4的源极与接地电阻R2连接，所述电阻R3的另一端分别与电阻R4的一端、电阻R7的一端、电感L3的一端、电阻R10的一端，以及接地电容C8连接，并作为所述三级放大开关网络的VD端口，所述电阻R10的另一端与接地电容C9连接，所述电阻R7的另一端分别与接地电阻R9和电阻R8的一端连接，所述电阻R4分别与接地电阻R6和电阻R5的一端连接；

所述微带线TL1的另一端与场效应管M1的栅极连接，所述场效应管M1的源极接地，所述场效应管M1的漏极分别与电容C2的一端和电感L1的一端连接，所述电容C2的另一端分别与电阻R5的另一端和微带线TL2的一端连接，所述微带线TL2的另一端与场效应管M2的栅极连接，所述电感L1的另一端分别与接地电容C5和场效应管M2的源极连接，所述场效应管M2的漏极分别与电容C3的一端和电感L2的一端连接，所述电容C3的另一端分别与电阻R8的另一端和微带线TL3的一端连接，所述微带线TL3的另一端与场效应管M3的栅极连接，所述电感L2的另一端分别与接地电容C6和场效应管M3的源极连接，所述场效应管M3的漏极分别与电感L3的另一端和微带线TL4的一端连接，所述微带线TL4的另一端与电容C4的一端连接，所述电容C4的另一端分别与微带线TL5的一端、场效应管M5的源极，以及场效应管M7的漏极连接，所述微带线TL5的另一端分别与电阻R11的一端和场效应管M6的漏极连接，所述电阻R11的另一端与场效应管M6的源极连接，并作为所述三级放大开关网络的第一输出端，所述场效应管M6的栅极作为所述三级放大开关网络的Ve端口，所述场效应管M5的漏极接地，所述场效应管M5的栅极作为所述三级放大开关网络的Vf端口，所述场效应管M7的栅极作为所述三级放大开关网络的Vg端口，所述场效应管M7的源极与微带线TL6的一端连接，所述微带线TL6的另一端作为所述三级放大开关网络的第二输出端；

所述VD端口、Ve端口、Vf端口，以及Vg端口均与串行驱动网络的对应端口连接。