[发明专利]一种调控吡咯并吡咯二酮类给体-受体共轭聚合物结晶取向的方法在审

专利信息
申请号: 202210593344.2 申请日: 2022-05-27
公开(公告)号: CN115058023A 公开(公告)日: 2022-09-16
发明(设计)人: 彭娟;李立心;陈舒雯 申请(专利权)人: 复旦大学
主分类号: C08J3/00 分类号: C08J3/00;C08L65/00
代理公司: 上海科盛知识产权代理有限公司 31225 代理人: 陈天宝
地址: 200433 *** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 一种 调控 吡咯 酮类 受体 共轭 聚合物 结晶 取向 方法
【权利要求书】:

1.一种调控吡咯并吡咯二酮类给体-受体共轭聚合物结晶取向的方法,其特征在于,调控方法为:通过热退火或溶剂退火作用,使吡咯并吡咯二酮类给体-受体共轭聚合物分子链在基底上形成平躺与侧立的转变。

2.根据权利要求1所述的一种调控吡咯并吡咯二酮类给体-受体共轭聚合物结晶取向的方法,其特征在于,所述吡咯并吡咯二酮类给体-受体共轭聚合物的分子结构式为:

其中R是具有支化结构烷基侧链。

3.根据权利要求1所述的一种调控吡咯并吡咯二酮类给体-受体共轭聚合物结晶取向的方法,其特征在于,所述吡咯并吡咯二酮类给体-受体共轭聚合物的数均分子量为18000-40000kg/mol。

4.根据权利要求1所述的一种调控吡咯并吡咯二酮类给体-受体共轭聚合物结晶取向的方法,其特征在于,当通过溶剂退火作用时,所述吡咯并吡咯二酮类给体-受体共轭聚合物的烷基侧链密度与诱导结晶取向转变的分子数量呈正相关性。

5.根据权利要求4所述的一种调控吡咯并吡咯二酮类给体-受体共轭聚合物结晶取向的方法,其特征在于,所述吡咯并吡咯二酮类给体-受体共轭聚合物的分子结构式为:

6.根据权利要求1所述的一种调控吡咯并吡咯二酮类给体-受体共轭聚合物结晶取向的方法,其特征在于,调控结晶取向的过程包括:

通过热退火方式使吡咯并吡咯二酮类给体-受体共轭聚合物形成侧立取向;

通过使吡咯并吡咯二酮类给体-受体共轭聚合物置于氯仿溶剂密闭氛围下,实现侧立向平躺转变;

如此反复实现侧立与平躺可逆转变过程。

7.根据权利要求6所述的一种调控吡咯并吡咯二酮类给体-受体共轭聚合物结晶取向的方法,其特征在于,调控可逆转变过程包括:

将吡咯并吡咯二酮类给体-受体共轭聚合物溶解在良溶剂中,之后自然冷却滴加在方形硅片上,形成平躺的结晶取向;

经过高温退火后形成侧立结晶取向,然后置于有氯仿溶剂密闭空间内进行溶剂退火,形成平躺的结晶取向,以此形成共轭聚合物平躺与侧立结晶取向的可逆转变。

8.根据权利要求7所述的一种调控吡咯并吡咯二酮类给体-受体共轭聚合物结晶取向的方法,其特征在于,调控可逆转变过程包括:

(a)取吡咯并吡咯二酮类给体-受体共轭聚合物加入到氯仿溶剂中,得到DPP3T聚合物溶液;

(b)将DPP3T聚合物溶液加热搅拌达到完全溶解状态,之后滴加到硅片上进行自然挥干,形成均匀的薄膜,以此形成平躺的结晶取向;

(c)将冷却到室温的DPP3T聚合物溶液用移液枪移取滴加到方形硅片上,在氩气氛围下进行高温热退火处理,以此形成侧立结晶取向,退火完成后放到具有氯仿蒸汽氛围密闭空间内进行溶剂退火处理,以此形成平躺的结晶取向;

(d)将溶剂退火完成的硅片置于热台加热,去除表面残留溶剂,以此形成共轭聚合物平躺与侧立结晶取向的可逆转变。

9.根据权利要求8所述的一种调控吡咯并吡咯二酮类给体-受体共轭聚合物结晶取向的方法,其特征在于,步骤(a)中,通过改变DPP3T和溶剂的配比来控制DPP3T溶液的浓度至5-10mg/mL;

步骤(b)中,将DPP3T聚合物溶液在80℃下加热搅拌至少6h达到完全溶解状态。

10.根据权利要求8所述的一种调控吡咯并吡咯二酮类给体-受体共轭聚合物结晶取向的方法,其特征在于,步骤(c)中,将冷却到室温的DPP3T聚合物溶液移取滴加到方形硅片上,在氩气氛围下进行高温热退火处理3-6h,温度范围为230-270℃,退火完成后放到具有氯仿蒸汽氛围密闭空间内进行溶剂退火处理,溶剂退火时间为72h-96h;

步骤(d)中,将溶剂退火完成的硅片置于80℃热台加热。

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