[发明专利]一种选区激光熔化TC4合金基复合材料及其制备方法和应用有效
| 申请号： | 202210568449.2 | 申请日： | 2022-05-23 |
| 公开（公告）号： | CN114875408B | 公开（公告）日： | 2023-09-22 |
| 发明（设计）人： | 李宁;颜家振;董鑫;张幖;李锐;张玉鲜;刘楠;樊星云 | 申请（专利权）人： | 成都科宁达材料有限公司 |
| 主分类号： | C23F1/26 | 分类号： | C23F1/26;C23C14/02;C23C14/16;C23C14/35;C22C19/05;C22C14/00;A61K6/829;B33Y40/20;B33Y70/00 |
| 代理公司： | 北京高沃律师事务所 11569 | 代理人： | 李博 |
| 地址： | 610064 四川省成都市*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 选区 激光 熔化 tc4 合金 复合材料 及其 制备 方法 应用 | ||
1.一种选区激光熔化TC4合金基复合材料的制备方法，包括如下步骤：
(1)采用酸性溶液对选区激光熔化TC4合金进行腐蚀处理，得到表面腐蚀合金；
(2)在所述步骤(1)得到的表面腐蚀合金的表面进行镀膜处理，得到表面为镍铬钼合金镀层的选区激光熔化TC4合金基复合材料；
所述步骤(2)中镀膜处理采用磁控溅射的方法；
所述磁控溅射的功率为3～4KW，所述磁控溅射的工作电压为900～1000V，所述磁控溅射的工作电流为0.05～0.1A；
所述步骤(2)的镍铬钼合金镀层中镍含量为69.5～70.5wt.％，铬含量为24.5～25.5wt.％，余量为钼。
2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述步骤(1)中酸性溶液为盐酸和氢氟酸的混合溶液。
3.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，所述酸性溶液中盐酸的浓度为5～10wt.％，氢氟酸的浓度为1～2wt.％。
4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述步骤(2)中镀膜处理的温度为300～350℃。
5.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述步骤(2)中的镍铬钼合金镀层的厚度为500～800nm。
6.权利要求1～5任意一项所述制备方法制备得到的选区激光熔化TC4合金基复合材料，包括选区激光熔化TC4合金和选区激光熔化TC4合金表面的镍铬钼合金镀层。
7.权利要求6所述选区激光熔化TC4合金基复合材料在烤瓷修复体中的应用。
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