[发明专利]一种极简高可靠性基准产生和内部电源产生电路

权利要求书

1.一种极简高可靠性基准产生和内部电源产生电路，其特征在于，所述电路包括：

极简稳压模块，用于产生内部电源电压VDD；

运放跟随器和偏置电压产生模块，用于提供给其它模块做偏置；

偏置电流产生模块，用于设置不同比例镜像给其它模块使用；

内部电源电压给运放跟随器和偏置电压产生模块供电、偏置电流产生模块供电；

其中所述极简稳压模块包括：

启动支路，启动支路包括电阻R1、二极管D1、二极管D2、稳压管Zener1；

分压支路，分压支路包括PMOS管P7、三极管D3、三极管D4、三极管D5、电阻R2、电阻R3、电阻R4、电阻R5、电阻R6、三极管D6及三极管D7；

还包括NMOS管N6、PMOS管P8；

电阻R1的一端连接NMOS管N6的漏端和PMOS管P8的源端，电阻R1的另一端连接NMOS管N6的栅端和PMOS管P8的漏端，NMOS管N6的源端连接电容C1的一端，电容C1的另一端接地，PMOS管P8的漏端与电阻R1的连接点连接二极管D1的阳极，二极管D1的阴极连接二极管D2的阳极，二级管D2的阴极连接稳压管Zener1的阴极，稳压管Zener1的阳极接地，PMOS管P8的栅端连接PMOS管P7的栅端，PMOS管P8的源端与PMOS管P7的源端连接，PMOS管P7的漏端连接三极管D3的集电极，三极管D3的集电极与基极连接，三极管D3的发射极连接三极管D4的集电极，三极管D3的集电极连接二极管D2的阴极与稳压管Zener1的阴极，三极管D4的集电极与基极连接，三极管D4的发射极连接三极管D5的集电极，三极管D5的集电极与基极连接，三极管D5的发射极连接电阻R2的一端，电阻R2的另一端连接电阻R3的一端，电阻R3的另一端连接电阻R4的一端，电阻R4的另一端连接电阻R5的一端，电阻R5的另一端连接电阻R6的一端，电阻R6的另一端连接三极管D6的集电极，三极管D6的集电极和基极连接，三极管D6的发射极连接三极管D7的集电极，三极管D7的集电极和基极连接，三极管D7的发射极接地。

2.根据权利要求1所述的一种极简高可靠性基准产生和内部电源产生电路，其特征在于，所述运放跟随器和偏置电压产生模块包括PMOS管P1、PMOS管P2、PMOS管P3、NMOS管N1、NMOS管N2、NMOS管N3、三极管npn1、电阻R7、电阻R8及电阻R9，PMOS管P1的栅端连接PMOS管P2的栅端，PMOS管P1的栅端与漏端连接，PMOS管P1的源端连接PMOS管P2的源端，PMOS管P1的漏端连接NMOS管N1的漏端，PMOS管P2的漏端连接NMOS管N3的栅端和NMOS管N2的漏端，NMOS管N1的源端与NMOS管N2的源端相连并连接于三极管npn1的集电极，NMOS管N1的栅端连接电阻R4与电阻R5的连接点，三极管npn1的发射极接地，三极管npn1的基极连接三极管D7的集电极，PMOS管P2的源端连接PMOS管P3的源端，PMOS管P3的栅端与漏端连接，PMOS管P3的漏端连接NMOS管N3的漏端，NMOS管N3的源端连接电阻R7的一端，电阻R7的另一端连接电阻R8的一端，电阻R8的另一端连接电阻R9的一端，电阻R9的另一端接地，NMOS管N2的栅端连接电阻R7与电阻R8的连接点。

3.根据权利要求2所述的一种极简高可靠性基准产生和内部电源产生电路，其特征在于，所述偏置电流产生模块包括PMOS管P4、PMOS管P5、NMOS管N4，PMOS管P4的源端连接PMOS管P3的源端和PMOS管P5的源端，PMOS管P4的栅端连接PMOS管P3的栅端和PMOS管P5的栅端，PMOS管P4的漏端连接NMOS管N4的漏端，NMOS管N4的漏端与栅端相连，NMOS管N4的源端接地。

4.根据权利要求3所述的一种极简高可靠性基准产生和内部电源产生电路，其特征在于，所述电路还包括NMOS管N5、PMOS管P6，NMOS管N5的漏端连接PMOS管P6的漏端，PMOS管P6的漏端与栅端连接，PMOS管P6的栅端连接PMOS管P7的栅端，PMOS管P6的源端连接PMOS管P7的源端。