[发明专利]一种基于拓扑旋磁光子晶体单向大面积T-型波导分束器有效

专利信息
申请号: 202210564938.0 申请日: 2022-05-23
公开(公告)号: CN114839719B 公开(公告)日: 2022-12-13
发明(设计)人: 姚建铨;何柳;张雅婷 申请(专利权)人: 天津大学
主分类号: G02B6/122 分类号: G02B6/122;G02B6/125
代理公司: 郑州优盾知识产权代理有限公司 41125 代理人: 栗改
地址: 300072*** 国省代码: 天津;12
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摘要:
搜索关键词: 一种 基于 拓扑 光子 晶体 单向 大面积 波导 分束器
【权利要求书】:

1.一种基于拓扑旋磁光子晶体单向大面积T-型波导分束器,其特征在于:包括光源(1)、正向磁场区域(9)、负向磁场区域(7)和无磁场区域(8),无磁场区域(8)为十字形区域,正向磁场区域(9)关于无磁场区域(8)中心对称,正向磁场区域(9)位于无磁场区域(8)左下部分与右上部分,负向磁场区域(7)关于无磁场区域(8)中心对称,负向磁场区域(7)位于无磁场区域(8)的左上部分与右下部分,光源(1)位于无磁场区域(8)内;

所述光源(1)为线性偏振源,以分束器左下角为原点,光源(1)坐标为(3.5a,12H),其中,a为数值为500nm的拓扑三角晶格常数;

所述正向磁场区域(9)与无磁场区域(8)交界面为磁场旋磁光子晶体界面I(5),负向磁场区域(7)与无磁场区域(8)交界面为磁场旋磁光子晶体界面Ⅱ(6),正向磁场区域(9)、负向磁场区域(7)与无磁场区域(8)均由YIG介质圆柱构成其半径为0.125a、高度为a、常温下空气折射率为1;

所述正向磁场区域(9)包括多个沿着+z方向添加偏置磁场的YIG介质柱I(2),沿着+z方向添加偏置磁场的YIG介质柱(2)的相对介电常数为13.8、相对磁导率为+z方向表示垂直纸面向里;

所述负向磁场区域(7)包括多个沿着-z方向添加偏置磁场的YIG介质柱(3),沿着-z方向添加偏置磁场的YIG介质柱II(3)相对介电常数为13.8、相对磁导率为-z方向表示垂直纸面向外;

所述无磁场区域(8)包括多个无添加磁场的YIG介质柱III(4);无添加磁场的YIG介质柱(4)的相对介电常数为13.8、相对磁导率为μ0

没有添加磁场时,YIG介质圆柱可看成普通光子晶体,光子晶体的能带结构中第二条光子能带与第三条能带发生简并,在第一布里渊区中矢空间中K点处出现Dirac point;YIG介质圆柱在沿着-z/+z方向添加偏置磁场时,YIG介质圆柱看成磁光光子晶体;若在外加偏置磁场情况下,磁光光子晶体的时间反演对称性被打破,将原本在第一布里渊区波矢空间中K点的Dirac point打开,在第二条光子能带与第三条能带中间发生分离,形成一个非零陈数的光子带隙,形成基于拓扑旋磁光子晶体单向大面积T-型分束波导。

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