[发明专利]批量化超导基带的抛光方法、超导基带有效
| 申请号: | 202210563859.8 | 申请日: | 2022-05-23 |
| 公开(公告)号: | CN114974725B | 公开(公告)日: | 2023-02-28 |
| 发明(设计)人: | 朱佳敏;高中赫;赵跃;苏广磊;张超;陈思侃;甄水亮;王臻郅;丁逸珺 | 申请(专利权)人: | 上海超导科技股份有限公司 |
| 主分类号: | H01B12/06 | 分类号: | H01B12/06;H01B13/00;C25F3/16 |
| 代理公司: | 上海锻创知识产权代理有限公司 31448 | 代理人: | 韩冰 |
| 地址: | 201207 上海市浦东新区自由*** | 国省代码: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 批量 超导 基带 抛光 方法 | ||
1.一种批量化超导基带的抛光方法,其特征在于,包括步骤:
S1、选择尚未进行电化学抛光的超导基带的一面进行贴膜;
S3、对超导基带未贴膜的另一面进行电化学抛光;
S4、去除超导基带上贴的膜;
所述电化学抛光的电抛液工作温度为30-80℃,将超导基带作为阴极,在超导基带未贴膜的一面与阳极之间设置有屏蔽板,所述屏蔽板遮挡在超导基带的端部与阳极之间;
阴阳极面积比为(1-3):1,阴极与阳极正面距离8-36mm,屏蔽板与超导基带的距离0-8mm,屏蔽板垂直投影至超导带材上覆盖超导带材端部1-4mm。
2.根据权利要求1所述的批量化超导基带的抛光方法,其特征在于,在步骤S1和步骤S3之间还包括:
S2、对超导基带未贴膜的另一面进行机械抛光,直至粗糙度达到5nm@50×50μm。
3.根据权利要求2所述的批量化超导基带的抛光方法,其特征在于,所述步骤S2还包括,对机械抛光后的超导基带进行分切。
4.根据权利要求3所述的批量化超导基带的抛光方法,其特征在于,所述分切的方式为无胶垫分切,分切速度为50-500m/h,刀片材质为高速钢,硬度达洛氏硬度HRC62-66。
5.根据权利要求1所述的批量化超导基带的抛光方法,其特征在于,所述电化学抛光是从0.8-5nm@50×50μm的粗糙度抛到0.4-0.7nm@1×1μm的粗糙度。
6.根据权利要求1所述的批量化超导基带的抛光方法,其特征在于,所述电化学抛光的电抛液成分为:
98%浓硫酸 10-30%
85%浓磷酸 70-90%
柠檬酸 0.5-3%
甘油 0.5-3%。
7.根据权利要求1所述的批量化超导基带的抛光方法,其特征在于,电化学抛光的设备为卷对卷电化学抛光装置,抛光过程包括:放料、带材前洗、电化学抛光、带材后洗、烘干、带材厚度及缺陷在线检测和收料。
8.根据权利要求1所述的批量化超导基带的抛光方法,其特征在于,去除超导基带上贴的膜所用的设备包括:
收料机构、放料机构、定位导轮组以及撕膜机构,所述定位导轮组设置在所述收料机构与所述放料机构之间,所述撕膜机构设置于所述定位导轮组下方。
9.一种超导基带,其特征在于,采用权利要求1-8任一项所述的批量化超导基带的抛光方法制备得到。
10.一种超导带材,其特征在于,包括权利要求9所述的超导基带,在所述超导基带上依次制备缓冲层、超导层和保护层。
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