[发明专利]一种薄膜体声波谐振器在审
| 申请号： | 202210563047.3 | 申请日： | 2022-05-23 |
| 公开（公告）号： | CN114826191A | 公开（公告）日： | 2022-07-29 |
| 发明（设计）人： | 王雅馨;蔡耀;刘炎;孙成亮;孙博文 | 申请（专利权）人： | 武汉敏声新技术有限公司 |
| 主分类号： | H03H9/02 | 分类号： | H03H9/02 |
| 代理公司： | 北京超凡宏宇专利代理事务所(特殊普通合伙) 11463 | 代理人： | 曹瑞敏 |
| 地址： | 430000 湖北省武汉市东湖新技术*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 薄膜 声波 谐振器 | ||
1.一种薄膜体声波谐振器，其特征在于，包括衬底，以及在衬底上层叠设置的底电极、压电层和顶电极，所述顶电极包括位于有效谐振区的第一顶电极，以及位于所述第一顶电极外圈的第二顶电极，和/或，所述底电极包括位于所述有效谐振区的第一底电极，以及位于所述第一底电极外圈的第二底电极，其中，所述第一顶电极和所述第二顶电极的声阻抗不同，所述第一底电极和所述第二底电极的声阻抗不同。
2.根据权利要求1所述的薄膜体声波谐振器，其特征在于，所述第一顶电极和所述第二顶电极的厚度相同；所述第一底电极和所述第二底电极的厚度相同。
3.根据权利要求2所述的薄膜体声波谐振器，其特征在于，在所述衬底与所述底电极之间形成有第一空腔，且所述第一空腔位于与所述有效谐振区对应的所述衬底上。
4.根据权利要求3所述的薄膜体声波谐振器，其特征在于，所述压电层为多晶压电材料。
5.根据权利要求1所述的薄膜体声波谐振器，其特征在于，所述底电极与所述衬底之间设置有支撑层，在所述支撑层与所述底电极之间形成有第二空腔，且所述第二空腔位于与所述有效谐振区对应的支撑层上。
6.根据权利要求5所述的薄膜体声波谐振器，其特征在于，所述支撑层与所述衬底之间通过键合层连接。
7.根据权利要求5或6所述的薄膜体声波谐振器，其特征在于，所述压电层上还设置有接引电极，所述接引电极从所述顶电极贯穿延伸至所述底电极，并与所述底电极连通。
8.根据权利要求6所述的薄膜体声波谐振器，其特征在于，所述键合层的材料为金、银、铜或锡。
9.根据权利要求5或6所述的薄膜体声波谐振器，其特征在于，所述压电层为单晶压电材料。
10.根据权利要求3或5所述的薄膜体声波谐振器，其特征在于，所述有效谐振区设置有贯穿所述底电极、所述压电层和所述顶电极的至少一个释放孔。
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