[发明专利]一种交直流绝缘监测的小信号产生电路

说明书

本发明属于小信号产生电路技术领域，具体涉及一种交直流绝缘监测的小信号产生电路，包括桥臂电阻、绝缘电阻、测量电阻、第一电阻、第二电阻、第三电阻、第四电阻。本发明由两个NMOS管和两个PMOS管构成的推挽控制电路，P‑_CONTROL和P+_CONTROL为单片机的单片机的输出状态控制口，P‑_CONTROL为高电平时，第一P‑MOSFET导通，进而第一N‑MOSFET导通，信号源Vp‑接入电路，此时P+_CONTROL为高电平，第二N‑MOSFET导通，第二P‑MOSFET截止，信号源Vp+切出电路，P+_CONTROL为低电平时，第二N‑MOSFET截止，第二P‑MOSFET导通，信号源Vp+接入电路，此时P‑_CONTROL为低电平，第一P‑MOSFET截止，第一N‑MOSFET截止，信号源Vp‑切出电路，电路通过控制信号源Vp+、Vp‑的投入与切出，实现小信号的注入。

技术领域

本发明涉及小信号产生电路技术领域，具体为一种交直流绝缘监测的小信号产生电路。

背景技术

随着电动汽车的普及，其用电设备、供电设备及绝缘材料一旦出现老化，绝缘强度将有所降低从而危及人身安全。为解决这些问题，供电设备、用电设备等地方必须配置绝缘监测装置，这些装置的存在能够实时监测各个地方的工作状态，一旦发生绝缘故障能够及时报警并采取必要的保护措施，保障人身和财产安全，现有的绝缘监测方法主要有平衡电桥法、不平衡电桥法、电流传感器法以及小信号注入法等。平衡电桥法测量简单速度快，但是若正负极同时出现绝缘故障时将无法计算绝缘电阻的大小。不平衡电桥法较平衡桥法有所改进，但是不适用于电路中有交流设备需要绝缘监测的状况，电流传感器法测量简单且隔离被测电路，但同样无法测量正负极同时出现绝缘故障时的绝缘电阻值。因此，需要对现有技术进行改进。

发明内容

本发明的目的在于提供一种交直流绝缘监测的小信号产生电路，解决了衡电桥法测量简单速度快，但是若正负极同时出现绝缘故障时将无法计算绝缘电阻的大小，不平衡电桥法较平衡桥法有所改进，但是不适用于电路中有交流设备需要绝缘监测的状况，电流传感器法测量简单且隔离被测电路，但同样无法测量正负极同时出现绝缘故障时的绝缘电阻值的问题。

为实现上述目的，本发明提供如下技术方案：一种交直流绝缘监测的小信号产生电路，包括桥臂电阻、绝缘电阻、测量电阻、第一电阻、第二电阻、第三电阻、第四电阻、第五电阻、第六电阻、第七电阻、第八电阻、第九电阻、第十电阻、小信号脉冲电源、第一电容、第二电容、第三电容、第四电容、第一电池、第二电池、第一P-MOSFET、第一N-MOSFET、第二P-MOSFET、第二N-MOSFET、第一二极管、第二二极管、第三二极管和第四二极管，所述其特征在于：所述第一电池和其中一个桥臂电阻连接，所述第二电池和另一个桥臂电阻连接，所述第一电池、第二电池均与绝缘电阻连接，所述绝缘电阻和小信号脉冲电源连接，所述小信号脉冲电源和测量电阻连接，所述测量电阻和两个桥臂电阻连接，所述第一电阻和第一P-MOSFET连接，所述第一P-MOSFET和第三电阻连接，所述第三电阻和第一N-MOSFET连接，所述第一N-MOSFET和第五电阻连接，所述第五电阻和小信号脉冲电源连接，所述第十电阻和第二N-MOSFET连接，所述第二N-MOSFET和第四电容连接，所述第二N-MOSFET和第八电阻连接，所述第八电阻和第二P-MOSFET连接，所述第二P-MOSFET和第六电阻连接，所述第六电阻和小信号脉冲电源连接。

优选的，所述第一P-MOSFET和第一电容连接，所述第一P-MOSFET和第二电阻连接，所述第一电容和第二电阻均与第一电阻连接。通过设置第一电容和第二电阻，可以对第一P-MOSFET进行输出电流导通。

优选的，所述第三电阻和第二电容连接，所述第二电容和第一二极管连接，所述第一二极管和第一N-MOSFET连接。通过设置第二电容和第一二极管可以对第一N-MOSFET进行截止。

优选的，所述第二N-MOSFET和第九电阻连接，所述第四电容和第九电阻均与第十电阻连接。通过设置第四电容和第九电阻对第二N-MOSFET进行截止。