[发明专利]一种GaAs基VECSEL激光器的衬底腐蚀方法在审
| 申请号： | 202210553081.2 | 申请日： | 2022-05-19 |
| 公开（公告）号： | CN114899696A | 公开（公告）日： | 2022-08-12 |
| 发明（设计）人： | 王荣堃;王涵文;徐现刚 | 申请（专利权）人： | 山东大学 |
| 主分类号： | H01S5/02 | 分类号： | H01S5/02;H01S5/14;H01S5/183 |
| 代理公司： | 济南金迪知识产权代理有限公司 37219 | 代理人： | 张宏松 |
| 地址： | 250199 山*** | 国省代码： | 山东;37 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 gaas vecsel 激光器 衬底 腐蚀 方法 | ||
1.一种GaAs基VECSEL激光器的衬底腐蚀方法，包括步骤如下：
(1)超声清洗
将GaAs外延片放入去离子水中进行超声清洗5～20min；
(2)粗腐蚀
将清洗后的GaAs外延片置于粗腐蚀溶液中，在室温下，磁力搅拌进行粗腐蚀，所述的粗腐蚀溶液为氨水与过氧化氢按体积比1:8～1:10的比例配制成的混合溶液；
(3)一次清洗
粗腐蚀后的衬底放入纯水中冲洗1～3分钟，清洗去除表面上的残留反应物与腐蚀液；
(4)细腐蚀
将清洗后的GaAs外延片置于细腐蚀溶液中，在室温下，磁力搅拌进行细腐蚀，所述的细腐蚀溶液为浓硫酸、过氧化氢、去离子水按体积比1:1：(4-6)的比例配制成的混合溶液；
(5)二次清洗
细腐蚀后的衬底放入纯水中冲洗1-3分钟，清洗去除表面上的残留反应物与腐蚀液；
(6)去阻挡层
将清洗后的GaAs外延片置于去阻挡层腐蚀液中，在室温下，对腐蚀阻挡层进行腐蚀，去阻挡层腐蚀液为浓盐酸与浓硝酸按体积比(1-3)：(1-3)的比例配制成的混合溶液；
(7)三次清洗
去阻挡层后的GaAs外延片清洗以去除表面上的残留反应物与腐蚀液。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤(2)中，粗腐蚀溶液为氨水与过氧化氢按体积比1:9的比例配制成的混合溶液。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤(2)中，腐蚀时间为20-25分钟。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤(4)中，细腐蚀溶液为浓硫酸与过氧化氢与去离子水按体积比1:1：5的比例配制成的混合溶液。
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤(4)中，腐蚀时间为20-25分钟，直至出现粉红色InGaAs腐蚀阻挡层。
6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤(6)中，去阻挡层腐蚀液为浓盐酸与浓硝酸按体积比2：3的比例配制成的混合溶液。
7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤(6)中，腐蚀时间为1-2分钟。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于山东大学，未经山东大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202210553081.2/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
