[发明专利]一种多重纳米方柱阵列宽带完美吸收器有效
| 申请号： | 202210539500.7 | 申请日： | 2022-05-17 |
| 公开（公告）号： | CN114910988B | 公开（公告）日： | 2023-10-24 |
| 发明（设计）人： | 程立文;王鑫龙;钱沁宇;王钦华 | 申请（专利权）人： | 扬州大学 |
| 主分类号： | G02B5/00 | 分类号： | G02B5/00 |
| 代理公司： | 南京瑞弘专利商标事务所(普通合伙) 32249 | 代理人： | 吴旭 |
| 地址： | 225009 *** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 多重 纳米 阵列 宽带 完美 吸收 | ||
【权利要求书】：
1.一种多重纳米方柱阵列宽带完美吸收器，其特征在于，包括基底，在基底上设有锗层，在所述锗层上设有硅光栅，在所述硅光栅上设有周期排列的铁纳米方柱阵列；在所述硅光栅的各行硅结构上表面，沿光栅长度方向，铁纳米方柱的高度成波浪状排列，且相邻两个铁纳米方柱高度差为dh；相邻两行硅结构上的铁纳米方柱的高度排列步调相反，即其中一行中最高的铁纳米方柱正对另一行中最低的铁纳米方柱。
2.根据权利要求1所述的多重纳米方柱阵列宽带完美吸收器，其特征在于，所述铁纳米方柱的边长d为45nm-65nm；最低柱高d0为40-120nm；相邻两个铁纳米方柱的高度差dh为80nm-160nm；沿光栅长度方上相邻铁纳米方柱的水平距离dx为10nm-25nm；两行铁纳米方柱之间的沟道宽度dy为30nm-70nm；所述硅光栅的高度d2为50nm-90nm；所述锗层厚度d1为20nm-120nm。
3.根据权利要求1所述的多重纳米方柱阵列宽带完美吸收器，其特征在于，所述铁纳米方柱的边长d＝53nm；最低柱高d0＝75nm；相邻两个铁纳米方柱的高度差dh＝122nm；沿光栅长度方上相邻铁纳米方柱的水平距离dx＝16nm；两行铁纳米方柱之间的沟道宽度dy＝49nm；所述硅光栅的高度d2等于所述锗层厚度d1，均为70nm。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于扬州大学，未经扬州大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202210539500.7/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
