[发明专利]一种稀土基卤化物发光材料、其制备方法及应用

权利要求书

1.一种稀土基卤化物发光材料，具有式Ⅰ所示的化学式；

Cs₂NaEr_1-xYb_xCl₆ 式Ⅰ；

式Ⅰ中，0≤x≤1。

2.根据权利要求1所述的稀土基卤化物发光材料，其特征在于，x＝0、0.1、0.2、0.3、0.4、0.5、0.6、0.7、0.8、0.9或1。

3.一种稀土基卤化物发光材料的制备方法，包括以下步骤：

将铯源、钠源、铒源、镱源和浓盐酸混合，在170～190℃下进行水热反应，得到稀土基卤化物发光材料；

所述稀土基卤化物发光材料具有式Ⅰ所示的化学式；

Cs₂NaEr_1-xYb_xCl₆ 式Ⅰ；

式Ⅰ中，0≤x≤1。

4.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于，所述稀土基卤化物发光材料的制备方法包括以下步骤：

A)将物料a与浓盐酸混合，得到前驱体溶液；

所述物料a为铯源；

B)将物料b与所述前驱体溶液混合，在170～190℃下进行水热反应，得到稀土基卤化物发光材料；

所述物料b包括钠源和物料b1；所述物料b1包括铒源和/或镱源；

所述稀土基卤化物发光材料具有式Ⅰ所示的化学式；

Cs₂NaEr_1-xYb_xCl₆ 式Ⅰ；

式Ⅰ中，0≤x≤1。

5.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于，所述稀土基卤化物发光材料的制备方法包括以下步骤：

A)将物料a与浓盐酸混合，得到前驱体溶液；

所述物料a包括铯源和物料a1；所述物料a1包括铒源和/或镱源；

B)将物料b与所述前驱体溶液混合，在170～190℃下进行水热反应，得到稀土基卤化物发光材料；

所述物料b为钠源；

所述稀土基卤化物发光材料具有式Ⅰ所示的化学式；

Cs₂NaEr_1-xYb_xCl₆ 式Ⅰ；

式Ⅰ中，0≤x≤1。

6.根据权利要求3～5任意一项所述的制备方法，其特征在于，所述铯源包括氯化铯和碳酸铯中的至少一种；

所述钠源包括氯化钠、氢氧化钠和碳酸钠中的至少一种；

所述的铒源包括氯化铒和氧化铒中的至少一种；

所述的镱源包括氯化镱和氧化镱中的至少一种。

7.根据权利要求3～5任意一项所述的制备方法，其特征在于，所述水热反应的时间为8～12h。

8.根据权利要求3～5任意一项所述的制备方法，其特征在于，所述水热反应后，还包括：过滤、清洗和干燥；

所述清洗采用的清洗剂为乙醇；

所述干燥的温度为50～80℃，时间为3～12h。

9.根据权利要求3～5任意一项所述的制备方法，其特征在于，所述过滤前，还包括降温至室温；

所述降温的速率为3～40℃/h。

10.权利要求1～2任意一项所述的稀土基卤化物发光材料或权利要求3～9任意一项所述的制备方法制得的稀土基卤化物发光材料作为防伪材料的应用。