[发明专利]一种应用于电池管理的高压电平转换电路在审

专利信息
申请号: 202210536638.1 申请日: 2022-05-17
公开(公告)号: CN114726360A 公开(公告)日: 2022-07-08
发明(设计)人: 张龙;孙权;陈婷;罗红瑞;袁婷;刘海涛 申请(专利权)人: 西安航天民芯科技有限公司
主分类号: H03K19/0185 分类号: H03K19/0185
代理公司: 西安通大专利代理有限责任公司 61200 代理人: 王艾华
地址: 710065 陕西省西*** 国省代码: 陕西;61
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摘要:
搜索关键词: 一种 应用于 电池 管理 高压 电平 转换 电路
【权利要求书】:

1.一种应用于电池管理的高压电平转换电路,其特征在于,包括第零电阻R0、第一电阻R1、第二电阻R2、第三电阻R3、第四电阻R4、第五电阻R5、第六电阻R6、第七电阻R7、第八电阻R8、第九电阻R9、第一P型MOS管MP1、第二P型MOS管MP2、第三P型MOS管MP3、第一N型MOS管MN1、第二N型MOS管MN2、第三P型MOS管MP3、第四N型MOS管MN4、第五N型MOS管MN5、第六N型MOS管MN6、第七N型MOS管MN7、第一N型LDMOS管DN1、第二N型LDMOS管DN2、第三N型LDMOS管DN3、第一P型LDMOS管DP1和二极管DZ0

所述第零电阻R0的一端与电池端的电压Vin1连接;所述第零电阻R0的另一端与第一N型MOS管MN1的栅极连接;

所述第一电阻R1的一端、第七电阻R7的一端与电池端的电压Vin2连接;

所述第一电阻R1的另一端、第一P型MOS管MP1的源极、第二P型MOS管MP2的源极、第三P型MOS管MP3的源极与二极管DZ0的负极连接;

所述第一P型MOS管MP1的栅极、第二P型MOS管MP2的栅极、第一P型MOS管MP1的漏极、第二电阻R2的一端与第一N型MOS管MN1的漏极连接;

所述第二P型MOS管MP2的漏极、第二电阻R2的另一端、第三P型MOS管MP3的栅极与第三P型MOS管MP3的漏极连接;第二N型MOS管MN2的栅极与第六电阻R6的一端连接;第一N型MOS管MN1的源极、第二N型MOS管MN2的源极与第三电阻R3的一端连接;第三电阻R3的另一端、第四电阻R4的一端与第一P型LDMOS管DP1的栅极连接;第四电阻R4的另一端与第一N型LDMOS管DN1的漏极连接;第一N型LDMOS管DN1的栅极、第二N型LDMOS管DN2的栅极、第三N型LDMOS管DN3的栅极、第九电阻R9的一端与控制信号CTRL连接;第一N型LDMOS管DN1的源极与第四N型MOS管MN4的漏极连接;第三N型MOS管MN3的漏极、第三N型MOS管MN3的栅极、第四N型MOS管MN4的栅极、第五N型MOS管MN5的栅极与偏置电流Ibias连接;第三N型MOS管MN3的源极、第四N型MOS管MN4的源极、第五N型MOS管MN5的源极接地;

所述第三P型MOS管MP3的漏极、二极管DZ0的正极与第一P型LDMOS管DP1的源极连接;第一P型LDMOS管DP1的漏极与第五电阻R5的一端连接;第五电阻R5的另一端与第二N型LDMOS管DN2的漏极连接;第二N型LDMOS管DN2的源极、第六N型MOS管MN6的栅极与第五N型MOS管MN5的源极连接;

所述第七电阻R7的另一端、第六电阻R6的另一端与第三N型LDMOS管DN3的漏极连接;第三N型LDMOS管DN3的源极与第六N型MOS管MN6的漏极连接;第六N型MOS管MN6的源极、第七N型MOS管MN7的源极与第八电阻R8的一端连接;第八电阻R8的另一端接地;第九电阻R9的另一端与第七N型MOS管MN7的栅极连接;第七N型MOS管MN7的漏极与输出电压Vout连接。

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