[发明专利]两性离子聚合物混合基质复合膜的制备方法有效
申请号: | 202210535101.3 | 申请日: | 2022-05-17 |
公开(公告)号: | CN114870656B | 公开(公告)日: | 2023-06-02 |
发明(设计)人: | 陈亦力;侯琴;史继岩;莫恒亮;李锁定;迟钊旭;刘曼曼;孙璐 | 申请(专利权)人: | 北京碧水源膜科技有限公司 |
主分类号: | B01D71/76 | 分类号: | B01D71/76;B01D69/12;B01D69/02;B01D67/00 |
代理公司: | 北京市商泰律师事务所 11255 | 代理人: | 邹芳德 |
地址: | 101407 北京市*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 两性 离子 聚合物 混合 基质 复合 制备 方法 | ||
1.一种两性离子聚合物混合基质复合膜的制备方法,其特征在于,包括如下步骤:
在一定厚度、多孔的底膜上进行两性离子单体接枝共聚反应,构筑两性离子聚合物;
在构筑了两性离子聚合物的底膜上进行构筑MOF材料原位生长反应;其中,对构筑了两性离子聚合物的底膜依次浸润金属离子溶液和对应的配体溶液,进行原位生长MOF材料;
对构筑了两性离子聚合物和原位生长MOF材料的底膜进行界面聚合反应,经过热处理工艺促进交联反应,最终形成两性离子聚合物混合基质复合膜;其中,
对构筑了两性离子聚合物的底膜上原位生长MOF材料后,依次浸润胺类单体溶液和均苯三甲酰氯的IspoparG有机溶液,进行界面聚合反应;将含有一定浓度的碳碳双键结构的两性离子单体溶液倾倒在底膜表面,反应一段时间后,放置在一定大小的恒温密闭容器内,通入氮气,将一定浓度的过硫酸铵-硝酸铈铵溶液注入膜表面引发接枝共聚反应;
将进行了两性离子单体接枝共聚反应后的底膜浸泡在金属离子溶液中反应,然后在含有相对应的配体溶液中浸润一定时间取出清洗,沥干水分,得到在构筑两性离子聚合物上原位生长MOF材料的底膜。
2.根据权利要求1所述的两性离子聚合物混合基质复合膜的制备方法,其特征在于,将构筑了两性离子聚合物和原位生长的MOF材料的底膜放在玻璃板上,四周用聚四氟乙烯板框压住,将胺类单体水相溶液倾倒在膜表面,然后沥干表面水相溶液,将均苯三甲酰氯油相溶液倾倒在膜表面,去除多余的油相,将膜片进行干燥,制备出两性离子聚合物混合基质复合膜。
3.根据权利要求2所述的两性离子聚合物混合基质复合膜的制备方法,其特征在于,胺类单体溶液为哌嗪(PIP)或间苯二胺(MPD)的一种。
4.根据权利要求1所述的两性离子聚合物混合基质复合膜的制备方法,其特征在于,所述底膜为经过电晕预处理的聚烯烃膜。
5.根据权利要求1所述的两性离子聚合物混合基质复合膜的制备方法,其特征在于,所述底膜为聚砜膜。
6.根据权利要求1所述的两性离子聚合物混合基质复合膜的制备方法,其特征在于,金属离子溶液为铝离子溶液、铁离子溶液、锌离子溶液或铜离子溶液,相对应的配体溶液分别为2,4,6-三(4-羧基苯基)-1,3,5-三嗪、均苯三甲酸、2-甲基咪唑、均苯三甲酸。
7.根据权利要求2所述的两性离子聚合物混合基质复合膜的制备方法,其特征在于,胺类单体水相溶液的质量分数为2%-5%,均苯三甲酰氯油相溶液的质量分数为0.8%-2%。
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