[发明专利]一种用于辐射制冷的聚二甲基硅氧烷基质复合材料有效

专利信息
申请号: 202210527762.1 申请日: 2022-05-16
公开(公告)号: CN114752220B 公开(公告)日: 2023-10-13
发明(设计)人: 李姝靓;麦贤敏;王晓亮 申请(专利权)人: 西南民族大学
主分类号: C08L83/04 分类号: C08L83/04;C08L71/00;C08K3/22;C08K3/36;C08K3/38;C08K3/34;C09K5/14
代理公司: 上海邦德专利代理事务所(普通合伙) 31312 代理人: 梁剑
地址: 610093 四川*** 国省代码: 四川;51
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摘要:
搜索关键词: 一种 用于 辐射 制冷 聚二甲基硅氧烷 基质 复合材料
【权利要求书】:

1.一种用于辐射制冷的聚二甲基硅氧烷基质复合材料的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:

步骤1:制备不含表面活性剂的油包油乳液

将纳米粒子加入到全氟聚醚(PFPE)中,搅拌使其分散均匀,再加入聚二甲基硅氧烷(PDMS)预聚物,最后搅拌,得到白色乳液;

步骤2:涂层成膜

将步骤(1)中的白色乳液浇筑在基材上,形成平整涂层,最后将涂层固化,即可得到掺杂纳米粒子的PDMS基质复合材料。

2.根据权利要求1所述的聚二甲基硅氧烷基质复合材料的制备方法,其特征在于,所述步骤1中PDMS预聚物、PFPE和纳米粒子的质量比为10:1:0.01-1:10:1。

3.根据权利要求1-2中任一项所述的聚二甲基硅氧烷基质复合材料的制备方法,其特征在于:所述步骤1中纳米粒子包括二氧化硅、氧化钛、氧化铝、氧化镁、氧化锌、氧化锆、氧化钇、氮化硼或氮化硅颗粒中的任意一种或者多种组合。

4.根据权利要求3所述的聚二甲基硅氧烷基质复合材料的制备方法,其特征在于:所述纳米粒子的平均粒径为10-500nm。

5.根据权利要求2中所述的聚二甲基硅氧烷基质复合材料的制备方法,其特征在于:所述步骤2中固化温度为25-150℃。

6.根据权利要求5中所述的聚二甲基硅氧烷基质复合材料的制备方法,其特征在于:在室温下固化时间大于48h,在100℃下固化时间为35分钟,在125℃下固化时间为20分钟,在150℃下固化时间为10分钟。

7.根据权利要求1-6中任一项所述的聚二甲基硅氧烷基质复合材料的制备方法制得的聚二甲基硅氧烷基质复合材料。

8.根据权利要求7中所述的聚二甲基硅氧烷基质复合材料可应用于建筑物制冷、冷凝水收集、舒适衣物与太阳能电池降温领域。

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