[发明专利]一种建模方法及装置和电子设备

权利要求书

1.一种建模方法，其特征在于，用于在底板模型上生成至少一个第一桁架模型，所述底板模型具有开口，所述方法包括：

获取底板模型的轮廓信息，所述轮廓信息包括理想外轮廓数据和开口位置数据；

基于所述理想外轮廓数据和桁架布置条件在所述底板模型上生成至少一个第一桁架模型；

确定所述第一桁架模型与所述开口具有至少交叠的情况下，基于所述底板模型的开口位置数据去除所述第一桁架模型在所述开口区域的部位。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述开口位置数据至少包括所述底板模型的缺口位置参数，所述基于所述理想外轮廓数据和桁架布置条件在所述底板模型上生成至少一个第一桁架模型，包括：

基于所述理想外轮廓数据和所述桁架布置条件，确定所述第一桁架模型在所述底板模型上的理论布置策略；

基于所述理论布置策略在所述底板模型上生成至少一个第一桁架模型。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述理论布置策略包括：桁架布置区域和桁架分布参数，所述桁架布置区域包括桁架在第一方向的布置区域和桁架在第二方向的布置区域，所述桁架分布参数包括桁架分布方向和桁架理论延伸长度，所述桁架布置条件包括：所述桁架在第一方向的边距限制参数、所述桁架在第二方向的边距限制参数、桁架预设间距和桁架数量参数，所述桁架实际间距大于或等于桁架预设宽度，所述基于所述理想外轮廓数据和所述桁架布置条件，确定至少一个所述第一桁架模型在所述底板模型上的理论布置策略，包括：

基于所述理想外轮廓数据、所述桁架在第一方向的边距限制参数和所述桁架数量参数，确定桁架实际间距大于桁架预设宽度的情况下，将所述桁架分布方向确定为多个所述桁架沿着第一方向分布；

基于所述理想外轮廓数据和所述桁架在第二方向的边距限制参数，确定桁架理论延伸长度，所述桁架理论延伸长度与每个所述桁架在第二方向的延伸长度相同。

4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述基于所述理想外轮廓数据、所述桁架在第一方向的边距限制参数和桁架数量参数，确定桁架实际间距大于预设间距的情况下，将所述桁架分布方向确定为多个所述桁架沿着第一方向分布，包括：

基于所述理想外轮廓数据和所述桁架在第一方向的边距限制参数，确定所述桁架在第一方向的布置范围参数；

基于所述桁架在第一方向的布置范围参数和所述桁架数量参数，确定桁架实际间距大于预设间距的情况下，将所述桁架分布方向确定为多个所述第一桁架模型沿着第一方向分布。

5.根据权利要求1~4任一项所述的方法，其特征在于，所述基于所述底板模型的开口位置数据去除所述第一桁架模型在所述开口区域的部位，包括：

基于所述开口位置数据和所述理想外轮廓数据确定所述第一桁架模型的裁剪区域信息；

去除所述第一桁架模型位于所述裁剪区域信息的部位，所述第一桁架模型与所述底板模型具有开口的侧边之间的最小距离大于或等于预设边距。

6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述开口位置数据至少包括洞口位置数据，当所述第一桁架模型在所述开口区域的部位被去除的情况下，所述第一桁架模型包括两段桁架子模型；

所述基于所述底板模型的开口位置数据去除所述第一桁架模型在所述开口区域的部位后，所述方法还包括：

确定所述第一桁架模型位于所述洞口的部位被去除的情况下，基于所述洞口位置数据生成两个第二桁架模型，所述洞口位于两段所述桁架子模型和两个所述第二桁架模型围成的区域，每个所述第二桁架模型与所述第一桁架模型的延伸方向相同；

每个所述第二桁架模型与所述洞口之间的最小距离大于或等于桁架保护距离；和/或，

沿着所述第一桁架模型的长度方向，每个所述第二桁架模型伸出所述洞口的长度大于0且小于其中一段所述桁架子模型的长度。